一种失调电容自动校准电路及方法

    公开(公告)号:CN101825694B

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN201010139606.5

    申请日:2010-04-01

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种MEMS传感器电容读出电路中失调电容自动校准电路及方法,属于微电子集成电路设计及微电子MEMS技术领域。针对现有技术中的问题,本发明提供一种失调电容自动校准电路及方法,该电路包括复位电路,用于进行电荷放大器复位重置;比较电路,用于读取并比较电荷放大器输出信号;逐次逼近电路,用于接受比较结果并生成电容补偿控制码;补偿电容阵列电路,用于根据电容补偿控制码指令对传感器电容形成补偿电容。该技术方案只需要一个校准开始信号,电路在经过N+1个载波周期后即可自动调节补偿电容大小来实现电容补偿,便捷易用,比手动调整更加准确;电路实现复杂度低,而且电路功耗也大大降低,具有很高的实际应用价值。

    一种失调存储的低功耗高速比较器

    公开(公告)号:CN103546127A

    公开(公告)日:2014-01-29

    申请号:CN201210238414.9

    申请日:2012-07-11

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种失调存储的低功耗高速比较器,包括顺序连接的输入采样开关,前置放大器、耦合电容、二级预放大器和输出动态锁存器。本发明在传统预放大锁存比较器的基础上采用了失调电压存储的自动校零技术,并利用电源电压受控的反相器实现了一种新型的低功耗高速二级预放大器结构,通过平均电流控制技术,在降低平均功耗的同时提供一个高速高增益级。本发明总体上有效减少了比较器输入失调电压,在不显著增加功耗的基础上大幅提高比较器的速度,能够更好的满足高速数据转换器的设计需要。

    一种失调电容自动校准电路及方法

    公开(公告)号:CN101825694A

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN201010139606.5

    申请日:2010-04-01

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种MEMS传感器电容读出电路中失调电容自动校准电路及方法,属于微电子集成电路设计及微电子MEMS技术领域。针对现有技术中的问题,本发明提供一种失调电容自动校准电路及方法,该电路包括复位电路,用于进行电荷放大器复位重置;比较电路,用于读取并比较电荷放大器输出信号;逐次逼近电路,用于接受比较结果并生成电容补偿控制码;补偿电容阵列电路,用于根据电容补偿控制码指令对传感器电容形成补偿电容。该技术方案只需要一个校准开始信号,电路在经过N+1个载波周期后即可自动调节补偿电容大小来实现电容补偿,便捷易用,比手动调整更加准确;电路实现复杂度低,而且电路功耗也大大降低,具有很高的实际应用价值。

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