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公开(公告)号:CN104892771A
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201510342161.3
申请日:2015-06-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有提高学习记忆能力的多肽TAT-N-cad?S3及其应用。该多肽TAT-N-cad?S3为如下a1)或a2)或a3):a1)氨基酸序列如序列表中序列1所示的多肽;a2)氨基酸序列如序列表中序列1第10-23位所示的多肽;a3)序列表中序列1的第14位、第16位和第17位的氨基酸残基保持不变,将a1)或a2)所示的多肽经过1至5个氨基酸残基的取代和/或缺失和/或添加得到的具有提高学习记忆能力作用的衍生多肽。实验证明,该多肽可提高学习记忆能力。
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公开(公告)号:CN104961832A
公开(公告)日:2015-10-07
申请号:CN201510341194.6
申请日:2015-06-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有提高学习记忆能力的多肽TAT-836-871及其应用。该多肽TAT-836-871为如下a1)或a2)或a3):a1)氨基酸序列如序列表中序列1所示的多肽;a2)氨基酸序列如序列表中序列1第10-45位所示的多肽;a3)将a1)或a2)所示的多肽经过1至10个氨基酸残基的取代和/或缺失和/或添加得到的具有提高学习记忆能力作用的衍生多肽。实验证明,该多肽可提高学习记忆能力。
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公开(公告)号:CN104892771B
公开(公告)日:2018-12-25
申请号:CN201510342161.3
申请日:2015-06-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有提高学习记忆能力的多肽TAT‑N‑cad S3及其应用。该多肽TAT‑N‑cad S3为如下a1)或a2)或a3):a1)氨基酸序列如序列表中序列1所示的多肽;a2)氨基酸序列如序列表中序列1第10‑23位所示的多肽;a3)序列表中序列1的第14位、第16位和第17位的氨基酸残基保持不变,将a1)或a2)所示的多肽经过1至5个氨基酸残基的取代和/或缺失和/或添加得到的具有提高学习记忆能力作用的衍生多肽。实验证明,该多肽可提高学习记忆能力。
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公开(公告)号:CN104961832B
公开(公告)日:2018-11-13
申请号:CN201510341194.6
申请日:2015-06-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有提高学习记忆能力的多肽TAT‑836‑871及其应用。该多肽TAT‑836‑871为如下a1)或a2)或a3):a1)氨基酸序列如序列表中序列1所示的多肽;a2)氨基酸序列如序列表中序列1第10‑45位所示的多肽;a3)将a1)或a2)所示的多肽经过1至10个氨基酸残基的取代和/或缺失和/或添加得到的具有提高学习记忆能力作用的衍生多肽。实验证明,该多肽可提高学习记忆能力。
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