公开(公告)号：CN119851702A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411909567.0

申请日：2024-12-24

Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 ,  北京大学

Inventor： 刘力锋 ,  管浩凯 ,  周正 ,  黄鹏

IPC: G11C7/04 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种针对阻变存储器的多模式温度校正方案，首先对阻变器件的温度特性进行数学建模，推导出存储器阵列的列电流与实际电流的关系式，进而得到相应的温度校正公式，对读取电流进行校正。该校正方案同时适用于单器件选通模式与多器件选通模式，能够有效提高工作在高温条件下存储器读取的可靠性。本发明进一步通过引入并行的结构节约实施该校正方案所带来的额外时间开销。本发明在高密度存储以及存算一体应用中均有着重要价值。

公开(公告)号：CN119851739A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411909568.5

申请日：2024-12-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘力锋 ,  管浩凯 ,  周正 ,  黄鹏 ,  孙雷

IPC: G11C29/50 ,  G06F17/10

Abstract: 本发明公开了一种基于物理模型的预测阻变器件温度特性方法。首先，根据阻变器件不同电阻态的温度测试曲线，结合多种物理机制，构建温度特性、器件电导以及导电细丝形貌之间的关系；然后根据以上关系，提出了一种通用的物理模型表达式。该模型在较大范围的给定温度区间内，对于所有的存储状态，均能够较好地预测器件的电导变化，为后续的仿真或校正工作提供指导。