公开(公告)号：CN118401083A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410468481.2

申请日：2024-04-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  王豪捷 ,  吴俊慷 ,  杨鸿才 ,  付星宇

IPC: H10N30/076 ,  H10N30/85 ,  H10N30/00 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17

Abstract: 本发明公开了一种用于高带宽低成本滤波器的Al(Sc)N薄膜及其制备方法。选取C面SiC键合衬底，首先使用MOCVD生长N极性AlN层，然后在避免表层AlN形成含氧层的情况下，使用PVD生长N极性AlN或AlScN加厚层，获得高质量的单晶压电薄膜材料，应用于高带宽低成本滤波器。该方法使用键合衬底充分降低了衬底成本，先通过MOCVD在C面SiC键合衬底上生长AlN提供统一的极性取向和较好的晶格取向，然后通过PVD保持N极性生长，保证了整体薄膜的较好c轴取向，有效保证了压电常数d33不会因为c轴的反转带来的抵消，并由于PVD生长速度快的特点，进一步降低了成本。

公开(公告)号：CN116590795A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310604790.3

申请日：2023-05-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  吴俊慷 ,  杨鸿才 ,  王豪捷 ,  刘伟

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/02 ,  C30B25/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明公开了一种利用陶瓷衬底生长单晶GaN自支撑衬底的方法，首先在在陶瓷衬底表面沉积填充材料，通过研磨抛光获得光滑表面；然后在表面形成二维材料层，并进行等离子体处理和/或原位NH3处理；接着生长单晶GaN厚膜材料，最后将单晶GaN厚膜材料从陶瓷衬底上分离，形成GaN自支撑衬底。该方法充分利用了陶瓷衬底与GaN热膨胀系数匹配的优点，并利用二维材料层为GaN的生长提供有序的六方结构，通过等离子体处理和/或NH3处理解决了二维材料表面难成核和外延层存在两种面内取向的问题，实现了高质量GaN自支撑衬底的制备。基于引入的二维材料层，可采用剥离技术将单晶GaN厚膜材料从陶瓷衬底上分离下来，基于成熟的产业链还可以实现大尺寸、低成本的晶圆级制造。

公开(公告)号：CN118613133A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410666902.2

申请日：2024-05-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  王豪捷 ,  陈正昊 ,  杨涵 ,  吴发权 ,  康香宁

IPC: H10N30/076 ,  H10N30/04 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  C30B29/40 ,  C30B25/18 ,  C30B33/12 ,  C30B33/02 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种Si衬底上生长高质量Al(Sc)N厚膜的方法，属于半导体技术领域。该方法先使用MOCVD或MBE在Si衬底上进行高质量AlN单晶层的生长，然后借助氧等离子体和热退火在MOCVD/MBE AlN的表层形成α‑氧化铝，最后PVD沉积Al(Sc)N厚膜。本发明充分利用了Si衬底上易剥离AlN与α‑氧化铝上可以生长极好晶体质量的特点，生长了可用于滤波器器件的不开裂的较好晶体质量的Al(Sc)N材料。