-
公开(公告)号：CN108364856A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810162045.7
申请日：2018-02-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供了一种离子注入制备氮掺杂石墨烯的方法，包括以下步骤：提供多层膜衬底，所述多层膜衬底包括依次设置的Si层、SiO2层、非晶SiC层、Cu层和Ni层；所述非晶SiC层可替换为DLC膜；在所述多层膜衬底的Ni层表面进行氮离子注入，得到氮掺杂衬底；将所述氮掺杂衬底进行退火，得到氮掺杂石墨烯。本发明结合离子注入技术和固态碳源法，以非晶SiC或者DLC膜为碳源，通过氮离子注入，使氮原子和碳原子共偏析一步制备出氮掺杂的石墨烯；通过对离子注入参数的控制实现对氮原子的掺杂量的控制。实验结果表明，本发明提供的方法能够精确控制氮原子的掺杂量，得到的氮掺杂石墨烯电子迁移率可达850cm2V-1s-1。
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
