-
公开(公告)号：CN112176043B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910601133.7
申请日：2019-07-04
Applicant: 北京大学
IPC: C12Q1/6869 , C12Q1/6886 , C07H21/02 , C07H1/00
Abstract: 本发明实施例的目的在于提供一种基于化学标记的修饰核苷的测序、富集和检测方法，其包括使巯基化合物与N‑羟甲基化学修饰核苷反应，再利用化学标记例如生物素进行标记，再富集并测序或检测本发明的方法采用选择性化学标记，化学反应的选择性保证了结果的特异性，减少了假阳性结果。
-
公开(公告)号：CN101354388B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810119277.0
申请日：2008-09-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种测量准一维纳米材料赛贝克系数的方法和系统，使两个横截面尺度为微米级的线状过渡电极分别与两个厘米级的块状金属电极相接触，然后利用纳米探针系统使单根的待测准一维纳米材料连接两个过渡电极，改变两个块状金属电极之间的温度差，同时测量该两电极的温度差和对应的电势差，即可获得准一维纳米材料的赛贝克系数。相应的测试系统包括实验平台、变温装置和数据采集及处理装置三部分。本发明通过微米级过渡电极解决了厘米级电极到纳米级待测样品的接触过渡问题，利用纳米探针系统安装纳米材料，而不是随机撒在电极两侧，提高了实验的成功率、可控性与可靠性，所提供的测量系统具有结构简单、成本低、易推广等优点。
-
公开(公告)号：CN101354388A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810119277.0
申请日：2008-09-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种测量准一维纳米材料赛贝克系数的方法和系统，使两个横截面尺度为微米级的线状过渡电极分别与两个厘米级的块状金属电极相接触，然后利用纳米探针系统使单根的待测准一维纳米材料连接两个过渡电极，改变两个块状金属电极之间的温度差，同时测量该两电极的温度差和对应的电势差，即可获得准一维纳米材料的赛贝克系数。相应的测试系统包括实验平台、变温装置和数据采集及处理装置三部分。本发明通过微米级过渡电极解决了厘米级电极到纳米级待测样品的接触过渡问题，利用纳米探针系统安装纳米材料，而不是随机撒在电极两侧，提高了实验的成功率、可控性与可靠性，所提供的测量系统具有结构简单、成本低、易推广等优点。
-
公开(公告)号：CN112176043A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910601133.7
申请日：2019-07-04
Applicant: 北京大学
IPC: C12Q1/6869 , C12Q1/6886 , C07H21/02 , C07H1/00
Abstract: 本发明实施例的目的在于提供一种基于化学标记的修饰核苷的测序、富集和检测方法，其包括使巯基化合物与N‑羟甲基化学修饰核苷反应，再利用化学标记例如生物素进行标记，再富集并测序或检测本发明的方法采用选择性化学标记，化学反应的选择性保证了结果的特异性，减少了假阳性结果。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.019 seconds)
