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公开(公告)号:CN115483312A
公开(公告)日:2022-12-16
申请号:CN202211120236.X
申请日:2022-09-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种基于硫酸刻蚀清洗氧化铟锡,优化载流子传输界面,提升钙钛矿太阳能电池短路电流和填充因子的方法。本发明采用与ITO产生各向异性反应的酸性溶液作为刻蚀液对现有钙钛矿太阳能电池器件制备中ITO清洗工艺进行优化和改进,利用刻蚀剂对ITO的选择性反应和强氧化性,改进了ITO在太阳能电池应用中的光电性质。处理之后的ITO透射率更高,表面功函数更低,费米能级更高,表面亲水性更强,杂质缺陷更少,能够提高太阳能电池对光的吸收利用和促进光生载流子的传输,提高钙钛矿太阳能电池器件短路电流和填充因子,进而提高光电转化效率,同时能够简化器件制备流程,降低工艺成本。