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公开(公告)号：CN109097612A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811108756.2
申请日：2018-09-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高压储氢合金及其制备方法，所述储氢合金具有以下通式所示组成：TiaCrbFeyMncAx，其中，A为Al、Ni或稀土金属中的一种或多种，a的范围为：1.00≤a≤1.05；b的范围为：0.90≤b≤1.10；c的范围为：0.20≤c≤0.40；x的范围为：0≤x≤0.1，且y的取值满足以下条件：0.65≤x+y≤0.75。本发明所公开的储氢合金，容易活化，具有较高的储氢容量和吸放氢坪台压，适合最高使用压力为45～90MPa的不同加氢站贮氢使用。
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公开(公告)号：CN111485114B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201910074664.5
申请日：2019-01-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种氢等离子体电弧熔炼与区域熔炼技术相结合制备高纯无氧钆金属锭的方法，通过采用本发明所提供的电弧熔炼炉，使得氢等离子体电弧熔炼与区域熔炼两种技术相结合，进而能够制备得到低杂质无氧高纯度的稀土金属Gd，其纯度能达到99.97％以上，氧含量能够降至15ppm，而且本发明提供的方法操作简单，利于实现。
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公开(公告)号：CN109097612B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201811108756.2
申请日：2018-09-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高压储氢合金及其制备方法，所述储氢合金具有以下通式所示组成：TiaCrbFeyMncAx，其中，A为Al、Ni或稀土金属中的一种或多种，a的范围为：1.00≤a≤1.05；b的范围为：0.90≤b≤1.10；c的范围为：0.20≤c≤0.40；x的范围为：0≤x≤0.1，且y的取值满足以下条件：0.65≤x+y≤0.75。本发明所公开的储氢合金，容易活化，具有较高的储氢容量和吸放氢坪台压，适合最高使用压力为45～90MPa的不同加氢站贮氢使用。
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公开(公告)号：CN111485114A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910074664.5
申请日：2019-01-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种氢等离子体电弧熔炼与区域熔炼技术相结合制备高纯无氧钆金属锭的方法，通过采用本发明所提供的电弧熔炼炉，使得氢等离子体电弧熔炼与区域熔炼两种技术相结合，进而能够制备得到低杂质无氧高纯度的稀土金属Gd，其纯度能达到99.97％以上，氧含量能够降至15ppm，而且本发明提供的方法操作简单，利于实现。
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公开(公告)号：CN109243994B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201811089232.3
申请日：2018-09-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种高k薄膜MOS结构及其制备和检测方法，所述MOS结构包括高k栅介质薄膜，所述薄膜由稀土靶材和钛靶材在含氧气体中溅射在衬底上得到。所述MOS结构的制备方法包括：清洗衬底，对靶材进行预处理；通入含氧气体，在衬底上溅射得到高k栅介质薄膜；在所述高k栅介质薄膜和衬底上溅射电极，得到所述MOS结构；对制备得到的MOS结构进行退火处理。所述检测方法是将高k栅介质薄膜溅射到石英衬底上，采集光谱进行禁带宽度检测。本发明所述制备方法简单，易于实现，制得的MOS结构具备优良的电学和光学性能；检测方法直观、操作方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109148571B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201811045596.1
申请日：2018-09-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型高k栅介质复合薄膜及其制备方法，其中，所述复合薄膜包括在衬底上由下到上用溅射的方法依次溅射的第一层薄膜和第二层薄膜，其中，所述第一层薄膜由稀土靶材和铝靶材在含氧气体中溅射得到。所述制备方法包括：步骤1，选择衬底，并对衬底和靶材进行预处理；步骤2，在衬底上溅射第一层薄膜；步骤3，在第一层薄膜上溅射第二层薄膜，得到复合薄膜；步骤4，将得到的复合薄膜进行退火处理，制备得到新型高k栅介质复合薄膜。本发明所述方法简单，易于实现，易于扩大生产，制备得到的复合薄膜具备优良的综合电性能。
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公开(公告)号：CN108598169B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810463349.7
申请日：2018-05-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/285 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种新型MOS结构的制备方法及得到的新型MOS结构，其中，所述方法如下进行：步骤1、在氩气和氧气用量比为(32～38):(4～6)的氛围下在硅片上沉积非晶金属氧化物薄膜，得到沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；步骤2、采用掩膜板遮盖步骤1得到的沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；步骤3、在非晶稀土氧化物薄膜的上层和硅片的底层分别溅射金属电极，得到所述MOS结构。本发明所述方法简单，易于实现，易于扩大生产；根据本发明所述方法得到的MOS结构具有优良的综合电性能，即具有较小的漏电流和较大的介电常数。
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公开(公告)号：CN109243994A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811089232.3
申请日：2018-09-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种高k薄膜MOS结构及其制备和检测方法，所述MOS结构包括高k栅介质薄膜，所述薄膜由稀土靶材和钛靶材在含氧气体中溅射在衬底上得到。所述MOS结构的制备方法包括：清洗衬底，对靶材进行预处理；通入含氧气体，在衬底上溅射得到高k栅介质薄膜；在所述高k栅介质薄膜和衬底上溅射电极，得到所述MOS结构；对制备得到的MOS结构进行退火处理。所述检测方法是将高k栅介质薄膜溅射到石英衬底上，采集光谱进行禁带宽度检测。本发明所述制备方法简单，易于实现，制得的MOS结构具备优良的电学和光学性能；检测方法直观、操作方便。
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公开(公告)号：CN109148571A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811045596.1
申请日：2018-09-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型高k栅介质复合薄膜及其制备方法，其中，所述复合薄膜包括在衬底上由下到上用溅射的方法依次溅射的第一层薄膜和第二层薄膜，其中，所述第一层薄膜由稀土靶材和铝靶材在含氧气体中溅射得到。所述制备方法包括：步骤1，选择衬底，并对衬底和靶材进行预处理；步骤2，在衬底上溅射第一层薄膜；步骤3，在第一层薄膜上溅射第二层薄膜，得到复合薄膜；步骤4，将得到的复合薄膜进行退火处理，制备得到新型高k栅介质复合薄膜。本发明所述方法简单，易于实现，易于扩大生产，制备得到的复合薄膜具备优良的综合电性能。
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公开(公告)号：CN108598169A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810463349.7
申请日：2018-05-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/285 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种新型MOS结构的制备方法及得到的新型MOS结构，其中，所述方法如下进行：步骤1、在氩气和氧气用量比为(32～38):(4～6)的氛围下在硅片上沉积非晶金属氧化物薄膜，得到沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；步骤2、采用掩膜板遮盖步骤1得到的沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；步骤3、在非晶稀土氧化物薄膜的上层和硅片的底层分别溅射金属电极，得到所述MOS结构。本发明所述方法简单，易于实现，易于扩大生产；根据本发明所述方法得到的MOS结构具有优良的综合电性能，即具有较小的漏电流和较大的介电常数。
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