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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110323311B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201910504881.3
申请日：2019-06-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/ZnO纳米线/p‑GaN薄膜的LED点光源及其制备方法。本发明采用生长衬底、p‑GaN薄膜层、正电极、绝缘层、凹槽、ZnO纳米线、负电极和单层石墨烯；单根ZnO纳米线放置在p‑GaN薄膜层上的凹槽内，形成ZnO纳米线/p‑GaN异质结，单层石墨烯覆盖在ZnO纳米线和负电极上；单层石墨烯与ZnO纳米线接触面积大，有效增加了载流子注入面积，提高了注入效率；同时，采取此种方法得到的器件对ZnO纳米线不造成损伤，使得发光效率大幅度提升；本发明在ZnO纳米线的一端形成纳米尺度点光源，将有效减小光电子器件的尺寸，在光电子器件的精确单片集成、超高分辨生物医学和超级电容信息储存等领域应用广泛。
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公开(公告)号：CN113244929B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110589352.5
申请日：2021-05-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: B01J23/843 , C02F1/72 , C02F101/30 , C02F101/34
Abstract: 本发明提供了一种铁铋氧化物Bi2Fe4O9的制备方法，将五水硝酸铋、九水硝酸铁和柠檬酸溶于稀硝酸溶液中，调整溶液pH12.5～13，使生成黄褐色沉淀，将得到的前驱体溶液加热处理，使Fe从柠檬酸螯合铁中析出、Bi从柠檬酸螯合铋中析出后，再将生成的铁铋氧化物前体混合液冷却至室温，分离沉淀物，洗涤干燥后，将获得的铁铋氧化物前体煅烧，使前体中的C‑O键通过煅烧生成CO2逃逸，最终得到黄褐色铁铋氧化物Bi2Fe4O9粉体。本发明制备的铁铋氧化物Bi2Fe4O9表面多孔隙，比表面积大，其粉体颗粒均匀一致，结晶性好，不需要借助载体，有效增强了其催化活性。本发明还提供了上述铁铋氧化物Bi2Fe4O9作为催化剂在有机废水处理中的应用，可结合羟胺和过一硫酸氢盐，对有机废水中的污染物高效降解。
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公开(公告)号：CN119968100A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510451283.X
申请日：2025-04-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硅锗量子阱的栅控霍尔元件及其实现方法。本发明采用硅锗量子阱结构，与传统硅MOS工艺兼容，避免了开发新材料基底的高成本，能够方便地匹配现有的硅基集成电路；本发明通过栅压调控载流子浓度，能够分别适应恒压和恒流工作模式；并且能够调控至高迁移率，有效降低器件的散热和功耗；此外，栅压能灵活调节霍尔元件的灵敏度，匹配不同负载下的磁场范围，适应不同的应用需求；本发明方案显著提升了器件的性能和工作灵活性，使单个器件兼具高灵敏度测量能力，并适应多种工作模式，有助于减少元件数量，优化电路设计，并提升大规模集成与开发的便利性；本发明应用于磁场测量，尤其适用于低温环境下微弱磁场的探测。
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公开(公告)号：CN113244929A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110589352.5
申请日：2021-05-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: B01J23/843 , C02F1/72 , C02F101/30 , C02F101/34
Abstract: 本发明提供了一种铁铋氧化物Bi2Fe4O9的制备方法，将五水硝酸铋、九水硝酸铁和柠檬酸溶于稀硝酸溶液中，调整溶液pH12.5～13，使生成黄褐色沉淀，将得到的前驱体溶液加热处理，使Fe从柠檬酸螯合铁中析出、Bi从柠檬酸螯合铋中析出后，再将生成的铁铋氧化物前体混合液冷却至室温，分离沉淀物，洗涤干燥后，将获得的铁铋氧化物前体煅烧，使前体中的C‑O键通过煅烧生成CO2逃逸，最终得到黄褐色铁铋氧化物Bi2Fe4O9粉体。本发明制备的铁铋氧化物Bi2Fe4O9表面多孔隙，比表面积大，其粉体颗粒均匀一致，结晶性好，不需要借助载体，有效增强了其催化活性。本发明还提供了上述铁铋氧化物Bi2Fe4O9作为催化剂在有机废水处理中的应用，可结合羟胺和过一硫酸氢盐，对有机废水中的污染物高效降解。
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公开(公告)号：CN110323311A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910504881.3
申请日：2019-06-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/ZnO纳米线/p-GaN薄膜的LED点光源及其制备方法。本发明采用生长衬底、p-GaN薄膜层、正电极、绝缘层、凹槽、ZnO纳米线、负电极和单层石墨烯；单根ZnO纳米线放置在p-GaN薄膜层上的凹槽内，形成ZnO纳米线/p-GaN异质结，单层石墨烯覆盖在ZnO纳米线和负电极上；单层石墨烯与ZnO纳米线接触面积大，有效增加了载流子注入面积，提高了注入效率；同时，采取此种方法得到的器件对ZnO纳米线不造成损伤，使得发光效率大幅度提升；本发明在ZnO纳米线的一端形成纳米尺度点光源，将有效减小光电子器件的尺寸，在光电子器件的精确单片集成、超高分辨生物医学和超级电容信息储存等领域应用广泛。
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