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公开(公告)号：CN118169532A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410321252.8
申请日：2024-03-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于电容的阻抗特性测量半导体材料方块电阻的方法，本发明对异质结构电容‑电压测量的传统方法进行创新，提出理论模型，将势垒层和电子气建模成由微分电容和微分电阻构成的分布式网络，求解该分布式网络对应的传输线模型的偏微分方程，得到分布式网络在不同频率下的电导值，通过对电导和数字角频率进行作图，将实验数据与模型数据进行拟合，从而得到方块电阻值。进一步对电导用数字角频率归一化，得到一条单一峰值的曲线，峰值的位置决定了异质结的方块电阻，将实验数据与模型数据进行拟合，从而得到方块电阻值。得到方块电阻值之后，进而可以计算不同载流子浓度下二维电子气的迁移率。
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