公开(公告)号：CN106381470B

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201610825848.7

申请日：2016-09-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 谭巍巍 ,  鲁向阳 ,  谢大弢 ,  肖丽 ,  杨自钦 ,  赵继飞 ,  杨德宇 ,  羊宇佳

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种铜基铌三锡薄膜及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：1)利用磁控溅射的方法，在铜基底上沉积隔离层；2)利用磁控溅射的方法溅射铌原子和锡原子，在所述隔离层上得到铌三锡前驱体；3)所述铌三锡前驱体经退火即得所述铜基铌三锡薄膜。本发明在铜基上制备了高品质的铌三锡薄膜，能充分利用铜基和铌三锡薄膜的各项优势。本发明制备得到的铌三锡物相单纯，超导性优良；铜与铌三锡薄膜之间连接牢固，可以用于整体超导腔的制造。由于铜的导热性优异，本发明铜基铌三锡薄膜可以解决铌超导腔容易出现热失超的问题。由于铌三锡薄膜超导性能好，它能改善铌射频超导性能不足的问题，将超导腔提高到4K温度下工作，同时能提高超导腔的加速梯度。

公开(公告)号：CN106381470A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610825848.7

申请日：2016-09-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 谭巍巍 ,  鲁向阳 ,  谢大弢 ,  肖丽 ,  杨自钦 ,  赵继飞 ,  杨德宇 ,  羊宇佳

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/345 ,  C23C14/165 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明公开了一种铜基铌三锡薄膜及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：1)利用磁控溅射的方法，在铜基底上沉积隔离层；2)利用磁控溅射的方法溅射铌原子和锡原子，在所述隔离层上得到铌三锡前驱体；3)所述铌三锡前驱体经退火即得所述铜基铌三锡薄膜。本发明在铜基上制备了高品质的铌三锡薄膜，能充分利用铜基和铌三锡薄膜的各项优势。本发明制备得到的铌三锡物相单纯，超导性优良；铜与铌三锡薄膜之间连接牢固，可以用于整体超导腔的制造。由于铜的导热性优异，本发明铜基铌三锡薄膜可以解决铌超导腔容易出现热失超的问题。由于铌三锡薄膜超导性能好，它能改善铌射频超导性能不足的问题，将超导腔提高到4K温度下工作，同时能提高超导腔的加速梯度。