公开(公告)号：CN106154591A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510130676.7

申请日：2015-03-23

Applicant: 中兴通讯股份有限公司 ,  北京大学

Inventor： 周治平 ,  李田甜 ,  钟舫 ,  华锋 ,  王会涛

IPC: G02F1/03

CPC classification number: G02F1/03

Abstract: 本发明公开了一种PN结，至少包括：轻掺杂P区、与轻掺杂P区相连的轻掺杂N区；其中，轻掺杂P区和轻掺杂N区在波导脊形区长度方向交替分布，且轻掺杂P区和轻掺杂N区在波导脊形区上的区域的交界面在与交界面垂直的平面上的投影为一条折线。通过本发明的方案，提高了调制效率，降低了功耗。

公开(公告)号：CN104301041A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410539951.6

申请日：2014-10-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 周治平 ,  王兴军 ,  张俊龙 ,  李田甜 ,  余丽 ,  苏昭棠

IPC: H04B10/50

Abstract: 本发明公开了一种硅基集成相干光发射机芯片及发射机，所述一种硅基集成相干光发射机芯片包括光耦合器、光分束器、光合束器、硅基调制器、固定相移器以及耦合偏振合束器；所述光耦合器用于实现输入端光耦合；所述光分束器、光合束器用于实现光信号的分束、合束功能；硅基调制器为核心调制器部分，用于实现将电信号加载到光信号的功能，完成调制信号光的产生；固定相移器用于实现光信号相位的固定旋转；耦合偏振分束器用于将两路横电(TE)偏振态的信号光合束为一路横电磁(TEM)信号光。本发明适用于采用多相位调制、偏振复用的光通信系统中，具有成本低、CMOS工艺兼容、实现简单、集成度高、易于封装等优点。

公开(公告)号：CN104301041B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410539951.6

申请日：2014-10-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 周治平 ,  王兴军 ,  张俊龙 ,  李田甜 ,  余丽 ,  苏昭棠

IPC: H04B10/50

Abstract: 本发明公开了一种硅基集成相干光发射机芯片及发射机，所述一种硅基集成相干光发射机芯片包括光耦合器、光分束器、光合束器、硅基调制器、固定相移器以及耦合偏振合束器；所述光耦合器用于实现输入端光耦合；所述光分束器、光合束器用于实现光信号的分束、合束功能；硅基调制器为核心调制器部分，用于实现将电信号加载到光信号的功能，完成调制信号光的产生；固定相移器用于实现光信号相位的固定旋转；耦合偏振合束器用于将两路横电(TE)偏振态的信号光合束为一路横电磁(TEM)信号光。本发明适用于采用多相位调制、偏振复用的光通信系统中，具有成本低、CMOS工艺兼容、实现简单、集成度高、易于封装等优点。