公开(公告)号：CN119480318A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411634886.5

申请日：2024-11-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 罗昭初 ,  杨金波 ,  杨文云 ,  韩景智 ,  方晓筱 ,  李昌锋

IPC: H01F1/153 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明涉及磁性材料技术领域，尤其涉及一种磁性材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种磁性材料，所述磁性材料为非晶态亚铁磁材料；所述非晶态亚铁磁材料包括过渡元素、稀土元素和掺杂元素；所述掺杂元素包括硼和/或氮。所述磁性材料无需辅助磁场就能够实现电流驱动磁畴壁高速运动。

公开(公告)号：CN119522029A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411629747.3

申请日：2024-11-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 罗昭初 ,  杨金波 ,  杨文云 ,  韩景智 ,  方晓筱 ,  李昌锋

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/20 ,  H10N50/10 ,  H10N52/00

Abstract: 本发明涉及亚铁磁材料技术领域，尤其涉及一种弱畴壁钉扎的亚铁磁材料及其应用。本发明提供了一种弱畴壁钉扎的亚铁磁材料，按照原子数百分比计，包括0～100％的过渡元素、0～100％的稀土元素和0～100％的掺杂元素，所述过渡元素、稀土元素和掺杂元素的总和为100％，且所述过渡元素在所述弱畴壁钉扎的亚铁磁材料中过渡元素的原子数百分比均大于稀土元素和掺杂元素的原子数百分比，所述稀土元素和掺杂元素在所述弱畴壁钉扎的亚铁磁材料中的原子数百分比均不为0；所述掺杂元素包括硼和/或氮。所述弱畴壁钉扎的亚铁磁材料的磁畴壁钉扎位点密度和强度大幅降低，同时能够降低驱动磁畴壁移动所需的电流密度和磁场强度。