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公开(公告)号：CN104045049A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210164290.4
申请日：2013-03-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硅层转移技术(SOLT)的高精度加速度计的加工方法。加速度计包括自上而下依次连接的上电极板，可动硅敏感结构件，下电极板，该方法包括：采用玻璃片或单晶硅圆片为基片加工上电极板和下电极板；以单器件层SOI片为基片加工可动硅敏感结构件并与下电极板基于键合方式连接；去除SOI片的衬底层和埋氧层；在原SOI片器件层刻蚀释放可动硅敏感结构件并与上电极板基于键合方式连接。本发明通过硅器件层转移和键合方法加工出三明治结构的差动电容敏感元件，实现敏感结构件的双面加工与结构释放，克服了牺牲层释放技术的固支结构尺寸难以精确控制的缺点，降低了工艺难度和制造成本。并且，所制备的弹性梁-质量块结构具有通用性。
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公开(公告)号：CN104062044A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310090325.9
申请日：2013-03-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种微机械差分电容式压力计。该压力计的两个电容由三个电容极板组成：由玻璃片或硅片上淀积金属形成的上极板，重掺杂的硅形成的下级板，与敏感压力的膜片部分相连的单晶硅或多晶硅形成的中间可动极板。本压力计基于压力计结构中基本的硅杯结构，当压力作用于敏感膜片时，膜片变形，连接在敏感膜片上的中间极板也随之变形，从而使得上下两个电容的电容值发生变化，形成差动的信号输出。该压力计的制备工艺简单，可利用差动结构的优点，实现对压力的差动检测。
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公开(公告)号：CN105988019A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510051735.1
申请日：2015-01-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种对硅微加速度计结构参数的圆片级测试方法，涉及一种带有弹性膜-质量块结构的硅微加速度计和硅膜制备工艺的腐蚀深度控制及结果检测。该硅微加速度计上的该弹性膜-质量块结构同时对外界加速度和压力敏感，在圆片级测试中，在加工有该硅微加速度计的圆片两侧施加气压差进行静态测试，即可通过该弹性膜-质量块结构对气压差的响应测得弹性膜-质量块结构的结构参数，并推算出该硅微加速度计对外界加速度的响应。本发明通过将加速度测试转为气压静态测试，克服了振动台和离心机难以用于大g值加速度计圆片级测试，而静电激励等其他圆片级测试方案需要过多附加结构和工艺步骤的缺点，降低了器件生产和测试的成本。
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公开(公告)号：CN104923325A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410097907.4
申请日：2014-03-17
Applicant: 北京大学
IPC: B01L7/00
Abstract: 本发明公开了一种微型器件热区的外部加热装置，包括加热器11，支撑绝缘毛细管12和加热探针13组成的加热部分，用于实现微型器件热区的加热，温度传感器21和温度控制器22组成的恒温部分，用于恒定加热部分的温度，显微镜31，微调探针架32和载物台33组成的对准部分，用于实现加热部分和微型器件热区的对准及接触。本发明对微型器件热区进行外部加热，能够实现微米尺度对准并且精确控制加热温度，为微型器件的测试提供了极大的方便，是一种对微小区域加热的有效方法。
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公开(公告)号：CN104058361A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310090309.X
申请日：2013-03-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于预制空腔SOI基片的集成压阻式加速度计与压力计的加工方法。加速度计包括带有力敏电阻的弹性梁-质量块结构，压力计包括带有力敏电阻的压力敏感膜片。该方法包括：在SOI基片的器件层上制备掺杂浓度的电阻条作为力敏电阻和温敏电阻；加工金属引线层和钝化层；深刻蚀至预制空腔，释放弹性梁-质量块结构；键合盖片以保护可动结构。相对于现有技术，本发明能够在单面单步工艺中加工出对称，尺寸精确的弹性梁-质量块结构；同时加工出加速度计和压力计的单晶硅敏感电阻及温敏电阻，器件灵敏度高，工艺重复性好；省去了传统绝压压力计的真空封装步骤；所制备的弹性梁-质量块结构具有通用性。
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