公开(公告)号：CN113193037A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110354520.2

申请日：2021-04-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  魏嘉琪 ,  沈波 ,  荣新 ,  王丁 ,  张宝庆 ,  刘放 ,  杨景

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/88 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3基共振隧穿二极管及其制备方法。本发明采用Ga2O3有源区双势垒结构，集电极势垒层的Al组分大于发射极势垒层的Al组分，使得具有超大的禁带宽度和击穿场强，在更高电压下会出现更多微分负阻现象，器件更适合高功率工作并提高了峰谷电流比值；利用Ga2O3材料具有无自发极化的特点，极大弱化发射极产生电荷积累区和集电极产生电荷耗尽区，提高器件的稳定性；采用(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3双势垒结构导带能量偏移大，有效减小越过势垒的热电子发射电流等非隧穿电流机制，提高器件的输出功率。

公开(公告)号：CN113193037B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202110354520.2

申请日：2021-04-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  魏嘉琪 ,  沈波 ,  荣新 ,  王丁 ,  张宝庆 ,  刘放 ,  杨景

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/88 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3基共振隧穿二极管及其制备方法。本发明采用Ga2O3有源区双势垒结构，集电极势垒层的Al组分大于发射极势垒层的Al组分，使得具有超大的禁带宽度和击穿场强，在更高电压下会出现更多微分负阻现象，器件更适合高功率工作并提高了峰谷电流比值；利用Ga2O3材料具有无自发极化的特点，极大弱化发射极产生电荷积累区和集电极产生电荷耗尽区，提高器件的稳定性；采用(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3双势垒结构导带能量偏移大，有效减小越过势垒的热电子发射电流等非隧穿电流机制，提高器件的输出功率。