公开(公告)号：CN102249350A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110124749.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 林建华 ,  张刚华 ,  李国宝 ,  黄富强

IPC: C01G53/04 ,  C01G51/04 ,  C01G49/00 ,  C01G45/12

Abstract: 本发明公开了一类层状单相多铁材料，该材料的通式为ABM2O5，其中A为Na，K，Rb，Cs的一种或多种；B为Bi，Pb的一种或多种；M为Mn，Fe，Co，Ni，Cu的一种或多种，本发明同时提供了该多铁材料的水热制备方法和高温固相制备方法。该类材料是一种新发现的具有非钙钛矿结构的层状结构类型材料，在材料结构中，四配位的M离子之间相互作用形成了G-type型反铁磁自旋排列，促使自旋发生倾斜而表现出净磁矩的产生，而A(Bi3+、Pb2+)离子的6s2孤对电子是样品呈现铁电性的来源。这类多铁材料在信息存储、自旋器件以及传感器方面有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN102249350B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201110124749.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 林建华 ,  张刚华 ,  李国宝 ,  黄富强

IPC: C01G53/04 ,  C01G51/04 ,  C01G49/00 ,  C01G45/12

Abstract: 本发明公开了一类层状单相多铁材料，该材料的通式为ABM2O5，其中A为Na，K，Rb，Cs的一种或多种；B为Bi，Pb的一种或多种；M为Mn，Fe，Co，Ni，Cu的一种或多种，本发明同时提供了该多铁材料的水热制备方法和高温固相制备方法。该类材料是一种新发现的具有非钙钛矿结构的层状结构类型材料，在材料结构中，四配位的M离子之间相互作用形成了G-type型反铁磁自旋排列，促使自旋发生倾斜而表现出净磁矩的产生，而A(Bi3+、Pb2+)离子的6s2孤对电子是样品呈现铁电性的来源。这类多铁材料在信息存储、自旋器件以及传感器方面有广阔的应用前景。