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公开(公告)号：CN109949964A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910171876.5
申请日：2019-03-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于单晶铜的降低电路损耗的方法。单晶铜是由一个晶粒长大而形成，因此没有晶界，并且晶格缺陷较少。相对于多晶铜而言，单晶铜具有更好的导电性能和传输特性，从而具有卓越的降低能量损耗的效果。本发明提出的一种基于单晶铜的降低电路损耗方法，包括但不限于将单晶铜应用作高频电缆、导线和集成电路等电路的制作材料，以降低电路的能量损耗和高频信号传输损耗。
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