公开(公告)号：CN108470746A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810203271.5

申请日：2018-03-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨玉超 ,  孙新昊 ,  张腾 ,  黄如

IPC: H01L27/24 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公布了一种通过电学信号消除电阻失配的忆阻系统及校准电路。所述忆阻系统中，忆阻器件与一个电阻并联后两端再分别串联一个电阻，忆阻器件可以作为后期附加层堆叠在集成电路芯片之上，通过校准电路根据输入的电学信号改变忆阻系统的阻值。本发明利用忆阻系统的电学可编程性，只需电学信号即可调阻，可以在芯片封装完成后进行电阻值修正，并且可以在芯片使用过程中根据需求多次调阻，解决了集成电路芯片加工完成后工艺误差引起的电阻失配问题。

公开(公告)号：CN108470746B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201810203271.5

申请日：2018-03-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨玉超 ,  孙新昊 ,  张腾 ,  黄如

IPC: H01L27/24 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公布了一种通过电学信号消除电阻失配的忆阻系统及校准电路。所述忆阻系统中，忆阻器件与一个电阻并联后两端再分别串联一个电阻，忆阻器件可以作为后期附加层堆叠在集成电路芯片之上，通过校准电路根据输入的电学信号改变忆阻系统的阻值。本发明利用忆阻系统的电学可编程性，只需电学信号即可调阻，可以在芯片封装完成后进行电阻值修正，并且可以在芯片使用过程中根据需求多次调阻，解决了集成电路芯片加工完成后工艺误差引起的电阻失配问题。