公开(公告)号：CN101734611B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200910241981.8

申请日：2009-12-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 张海霞 ,  孙广毅 ,  高天乐

IPC: H01L21/302 ,  B81C1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种基于无掩膜深反应离子刻蚀制备黑硅的方法。所述方法包括：对所述制备黑硅的方法的所采用的设备进行初始化和等离子稳定，以使等离子体进行辉光放电；控制所述深反应离子刻蚀制备黑硅的工艺参数，采用刻蚀与钝化的方式交替对硅片进行处理；其中，所述参数包括：等离子体气体流量、刻蚀平板功率、钝化平板功率、线圈功率和刻蚀、钝化周期、温度。本发明直接对硅片表面进行等离子体处理，通过调节选取合适的刻蚀工艺参数，在无需任何纳米掩膜的条件下即可在硅片表面生成大范围、高密度的纳米结构。并且，该制备黑硅的方法效率高、成本低，且能够与其他微加工工艺集成。

公开(公告)号：CN101734611A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910241981.8

申请日：2009-12-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 张海霞 ,  孙广毅 ,  高天乐

IPC: B81C1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种基于无掩膜深反应离子刻蚀制备黑硅的方法。所述方法包括：对所述制备黑硅的方法的所采用的设备进行初始化和等离子稳定，以使等离子体进行辉光放电；控制所述深反应离子刻蚀制备黑硅的工艺参数，采用刻蚀与钝化的方式交替对硅片进行处理；其中，所述参数包括：等离子体气体流量、刻蚀平板功率、钝化平板功率、线圈功率和刻蚀、钝化周期、温度。本发明直接对硅片表面进行等离子体处理，通过调节选取合适的刻蚀工艺参数，在无需任何纳米掩膜的条件下即可在硅片表面生成大范围、高密度的纳米结构。并且，该制备黑硅的方法效率高、成本低，且能够与其他微加工工艺集成。