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公开(公告)号：CN100416834C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510068117.4
申请日：2005-04-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种纳机电非易失随机存取存储器，其特征在于：它主要包括设置在芯片衬底上的海量纳米级存储单元和键合在衬底上方的玻璃；每个存储单元包括一通过转子轴支撑在存储单元中心的驻极体转子，该转子两端的衬底上设有一对电极；在衬底的驻极体转子两侧设置一对受控制部件MOSFET，其中两个源/漏极作为单元的驱动/检测电极，分别与转子两端的电极相接，另两个漏/源极作为存储单元的位线，与外控电路的读出/写入信号相接，栅极与外控电路的存储单元字线选择信号相接；转子一端顶面设置有一永磁薄膜层，与转子另一端顶面相对的键合玻璃上设置另一永磁薄膜层。本发明提供了以两个机械稳态分别表示“0”和“1”的全新概念的存储器单元，用本发明的存储器单元制作的存储器具有非易失性、低功耗和高速的特点。
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公开(公告)号：CN1855498A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200510068117.4
申请日：2005-04-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种纳机电非挥发随机存取存储器，其特征在于：它主要包括设置在芯片衬底上的海量纳米级存储单元和键合在衬底上方的玻璃；每个存储单元包括一通过转子轴支撑在存储单元中心的驻极体转子，该转子两端的衬底上设有一对电极；在衬底的驻极体转子两侧设置一对受控制部件MOSFET，其中两个源/漏极作为单元的驱动/检测电极，分别与转子两端的电极相接，另两个漏/源极作为存储单元的位线，与外控电路的读出/写入信号相接，栅极与外控电路的存储单元字线选择信号相接；转子一端顶面设置有一永磁薄膜层，与转子另一端顶面相对的键合玻璃上设置另一永磁薄膜层。本发明提供了以两个机械稳态分别表示“0”和“1”的全新概念的存储器单元，用本发明的存储器单元制作的存储器具有非挥发性、低功耗和高速的特点。
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