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公开(公告)号：CN102931482B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201210447462.9
申请日：2012-11-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种对称多层双频段天线罩结构及其制备方法。本发明所述的对称多层天线罩结构，每层介电层的厚度满足高频段中心频率对应的相厚度与低频段中心频率对应的相厚度相差整数倍π弧度角，这种结构设计容易实现在厘米波和毫米波频段的双频段透波功能，低频段的中心频率可以任意选取，且高频段中心频率可以设计为低频段中心频率大于等于五的任意倍数。本发明所述的天线罩结构介电层的介电常数由两边向中间递减，天线罩结构的最外层介电常数最高，整体结构的强度、刚度等力学性能优越。本发明的天线罩结构设计方案简单，电信可设计性强，且结构的力学性能优越。
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公开(公告)号：CN102931483A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210447756.1
申请日：2012-11-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01Q1/42
Abstract: 本发明公布了一种高温宽频对称梯度多孔氮化硅天线罩结构。其梯度多孔氮化硅陶瓷层的气孔率由最外层和最里层向中间依次递增，这种梯度结构设计可以有效降低在1-100GHz范围内电磁波的功率反射率，从而实现宽频透波性能。其内外蒙皮为致密氮化硅陶瓷层，具有较高的刚度、强度等力学性能。这种梯度结构设计同时可以有效降低透波结构在内外表面温差为1400摄氏度下的产生的热应力，从而有效提高透波结构的高温力学性能。本发明的对称梯度多孔氮化硅天线罩结构的电信性能突出，强度、刚度及高温力学性能优越。
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公开(公告)号：CN102969566A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210445208.5
申请日：2012-11-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01Q1/42
Abstract: 本发明公布了一种对称多层多频段天线罩结构及制备方法。所述的对称多层天线罩结构，其非中间介电层的介电常数和厚度按照四分之一波长匹配层设计，这种结构的设计方法简单，容易实现多频段透波功能。结构的电信设计频率可以任意选取，其通频带的中心频率为结构电信设计频率的奇数倍，且在通频带内带宽大且电磁波的功率透射率优异，结构电信可设计性强。本发明所述的天线罩结构的中间介电层的厚度可以根据实际服役环境对结构的刚度、强度等力学性能的要求进行设计。本发明的透波结构设计简单，电信可设计性强，而且能够满足不同服役环境下对结构力学性能的要求。
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公开(公告)号：CN102931482A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210447462.9
申请日：2012-11-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种对称多层双频段天线罩结构及其制备方法。本发明所述的对称多层天线罩结构，每层介电层的厚度满足高频段中心频率对应的相厚度与低频段中心频率对应的相厚度相差整数倍π弧度角，这种结构设计容易实现在厘米波和毫米波频段的双频段透波功能，低频段的中心频率可以任意选取，且高频段中心频率可以设计为低频段中心频率大于等于五的任意倍数。本发明所述的天线罩结构介电层的介电常数由两边向中间递减，天线罩结构的最外层介电常数最高，整体结构的强度、刚度等力学性能优越。本发明的天线罩结构设计方案简单，电信可设计性强，且结构的力学性能优越。
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公开(公告)号：CN102916251A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210447463.3
申请日：2012-11-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01Q1/42
Abstract: 本发明公布了一种高温宽频梯度多孔氮化硅天线罩结构。该天线罩结构由梯度多孔陶瓷层构成，其梯度多孔陶瓷层的孔隙率由最外层向最里层依次递增，这种梯度结构设计可以有效降低在DC-100GHz范围内电磁波的功率反射率，从而实现宽频透波性能。同时，这种梯度结构设计可以有效降低透波结构在内外表面温差为1400摄氏度下产生的热应力，从而有效提高天线罩结构的高温力学性能。本发明的梯度多孔氮化硅天线罩结构的电信性能突出，高温力学性能优越。
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