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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101009222A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710063106.6
申请日：2007-01-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了制备碳纳米管电子器件的方法，该方法包括如下步骤：1)使碳纳米管分布在绝缘电介质层基底表面；2)在绝缘电介质层基底上镀上金属薄膜；3)在金属薄膜上形成图案化的自组装单层膜；4)刻蚀；5)后处理。与文献中已有的方法比较，本发明方法具有很多独特的优点：方法简单易行，不需要复杂和昂贵的仪器设备；属于并行处理类的方法，能够实行工业自动化和大规模集成；可以突破光刻技术的极限，达到几十个纳米量级的电极间距；操作条件温和，在室温进行反应，避免了化学气相沉积不能适用于低熔点金属的特点；工艺周期很短，全部过程只需要五个小时左右；产率高，成本低廉，应用范围广泛，具备商业化运用的广阔前景。
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公开(公告)号：CN1778998A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410091452.1
申请日：2004-11-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种制备纳米间隙电极的反馈控制系统，其包括：直流沉积单元、实时监测单元、信号采集单元及控制器，直流沉积单元包括一直流源与一电化学液池，电化学液池中设置有对电极、参比电极及一对待沉积电极对，其中直流源为一电化学工作站，其第一输出端连接至对电极，第二输出端连接到参比电极，第三输出端经由地线连接到待沉积电极对，与第一输出端构成直流沉积回路；实时监测单元包括二采样电阻及二交流源，二采样电阻分别与待沉积电极对串联，另一端分别与二交流源串联形成交流回路，二交流源的另一端与电化学工作站的第三输出端共地；信号采集单元连接在采样电阻与待沉积电极对之间，信号采集单元的输出与控制器连接，控制器的输出与电化学工作站的控制端连接。
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公开(公告)号：CN100534899C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610113211.1
申请日：2006-09-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，该金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法包括如下步骤：通过常规光刻在含二氧化硅的衬底上制备金电极的步骤；利用聚焦离子束在电极上刻出若干个间隙的步骤；将上述电极浸入到单壁碳纳米管的DMF溶液的步骤；施加大小为2～8V、频率为1～10Hz的电场的步骤。本发明的金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法不仅简单、可控、高效，而且，能够有效提高碳纳米管电子逻辑器件以及场效应器件的性能和集成度，为碳纳米管结构的制备和实用化提供了一条可行的途径。
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公开(公告)号：CN101148253A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610113211.1
申请日：2006-09-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，该金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法包括如下步骤：通过常规光刻在含二氧化硅的衬底上制备金电极的步骤；利用聚焦离子束在电极上刻出若干个间隙的步骤；将上述电极浸入到单壁碳纳米管的DMF溶液的步骤；施加大小为2～8V、频率为1～10Hz的电场的步骤。本发明的金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法不仅简单、可控、高效，而且，能够有效提高碳纳米管电子逻辑器件以及场效应器件的性能和集成度，为碳纳米管结构的制备和实用化提供了一条可行的途径。
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公开(公告)号：CN100572613C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200410091452.1
申请日：2004-11-24
Applicant: 北京大学
IPC: C25D21/12 , G01N27/30 , H01L21/288
Abstract: 本发明涉及一种制备纳米间隙电极的反馈控制系统，其包括：直流沉积单元、实时监测单元、信号采集单元及控制器，直流沉积单元包括一直流源与一电化学液池，电化学液池中设置有对电极、参比电极及一对待沉积电极对，其中直流源为一电化学工作站，其第一输出端连接至对电极，第二输出端连接到参比电极，第三输出端经由地线连接到待沉积电极对，与第一输出端构成直流沉积回路；实时监测单元包括二采样电阻及二交流源，二采样电阻分别与待沉积电极对串联，另一端分别与二交流源串联形成交流回路，二交流源的另一端与电化学工作站的第三输出端共地；信号采集单元连接在采样电阻与待沉积电极对之间，信号采集单元的输出与控制器连接，控制器的输出与电化学工作站的控制端连接。
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