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公开(公告)号：CN109440190B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201811609484.4
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种NbSe2单晶层状纳米片的合成装置及其合成方法。本发明通过以载气控制气流，精确控制生长环境氛围，即便在气相输运过程中载气源参与反应，也能合成纯净的NbSe2单晶层状纳米片，全部过程只需要使用封闭石英管在水平管式炉中生长，时间、经济成本大大降低，制备方法简单；表征结果均良好，实际样品可随意取用，将产率效率提升数个数量级；控制因素主要依赖于生长温度与时间、源与沉积衬底的间距、载片的形状结构、退火时间等，参数易于控制，重复性良好；本发明的方法能够制备出大量NbSe2单晶层状纳米片，待通过进一步的条件控制掺杂浓度后将对NbSe2纳米线乃至其他所有过渡金属二硫族化合物纳米结构的生长提供新方案，本发明具有重要参考意义。
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公开(公告)号：CN111883641B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202010708265.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种室温热激发自旋极化电流源及其实现方法。本发明通过在拓扑半金属中引入温度梯度，实现热激发自旋极化电流的产生和监测；通过改变加热端的位置来改变电子的热扩散方向，能够实现对自旋极化方向的有效调控；通过改变栅极电压的方式调节电子的自旋极化率；本发明能够稳定工作到室温，解决了传统自旋极化电流源工作温度偏低的问题；纳米尺寸的器件结构和简单便捷的制备工艺也方便未来自旋电子学器件的大规模集成；而且不同于传统电荷流激发自旋流的方法，热激发自旋极化电流源利用温度差来控制热流、电荷流和自旋流，能够将电子元器件集成中产生的热量进行回收循环使用，是一种低能耗高功效的环保型器件。
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公开(公告)号：CN111883641A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010708265.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种室温热激发自旋极化电流源及其实现方法。本发明通过在拓扑半金属中引入温度梯度，实现热激发自旋极化电流的产生和监测；通过改变加热端的位置来改变电子的热扩散方向，能够实现对自旋极化方向的有效调控；通过改变栅极电压的方式调节电子的自旋极化率；本发明能够稳定工作到室温，解决了传统自旋极化电流源工作温度偏低的问题；纳米尺寸的器件结构和简单便捷的制备工艺也方便未来自旋电子学器件的大规模集成；而且不同于传统电荷流激发自旋流的方法，热激发自旋极化电流源利用温度差来控制热流、电荷流和自旋流，能够将电子元器件集成中产生的热量进行回收循环使用，是一种低能耗高功效的环保型器件。
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公开(公告)号：CN109440190A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811609484.4
申请日：2018-12-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种NbSe2单晶层状纳米片的合成装置及其合成方法。本发明通过以载气控制气流，精确控制生长环境氛围，即便在气相输运过程中载气源参与反应，也能合成纯净的NbSe2单晶层状纳米片，全部过程只需要使用封闭石英管在水平管式炉中生长，时间、经济成本大大降低，制备方法简单；表征结果均良好，实际样品可随意取用，将产率效率提升数个数量级；控制因素主要依赖于生长温度与时间、源与沉积衬底的间距、载片的形状结构、退火时间等，参数易于控制，重复性良好；本发明的方法能够制备出大量NbSe2单晶层状纳米片，待通过进一步的条件控制掺杂浓度后将对NbSe2纳米线乃至其他所有过渡金属二硫族化合物纳米结构的生长提供新方案，本发明具有重要参考意义。
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