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公开(公告)号：CN117558620A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210926088.4
申请日：2022-08-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法，属于宽禁带半导体材料领域。本发明通过在重掺p型GaN层靠近刻蚀边界处进行氢等离子体处理，使H离子与重掺p型GaN层中Mg受主形成Mg‑H复合体，同时采用热退火处理使H离子在重掺p型GaN中扩散，形成在主结区至结边缘之间空穴浓度梯度渐变分布，从而实现JTE结终端。与现有结终端技术相比，本发明无刻蚀、低损伤，可以有效削弱电场集聚效应提高器件耐压。
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