公开(公告)号：CN105990560A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510065512.0

申请日：2015-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 齐利民 ,  陈帅 ,  信跃龙 ,  周恒辉

IPC: H01M4/04 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/131 ,  H01M4/52 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化铁多孔纳米棒阵列电极材料及其制备方法。首先在含有Fe3+和SO42-的醋酸水溶液中，于导电基底上直接生长氧化铁纳米阵列薄膜，然后通过酸刻蚀优化氧化铁纳米棒阵列中的孔道结构，从而改善电解液在材料中的浸润，缩短锂离子在固相中的扩散距离，并提供缓冲体积膨胀的空间。本发明方法制备的氧化铁多孔纳米棒阵列材料作为无需添加剂的锂离子电池负极使用时具有优异的高倍率锂电性能。

公开(公告)号：CN105990560B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201510065512.0

申请日：2015-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 齐利民 ,  陈帅 ,  信跃龙 ,  周恒辉

IPC: H01M4/04 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/131 ,  H01M4/52 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化铁多孔纳米棒阵列电极材料及其制备方法。首先在含有Fe3+和SO42‑的醋酸水溶液中，于导电基底上直接生长氧化铁纳米阵列薄膜，然后通过酸刻蚀优化氧化铁纳米棒阵列中的孔道结构，从而改善电解液在材料中的浸润，缩短锂离子在固相中的扩散距离，并提供缓冲体积膨胀的空间。本发明方法制备的氧化铁多孔纳米棒阵列材料作为无需添加剂的锂离子电池负极使用时具有优异的高倍率锂电性能。