-
公开(公告)号：CN109273598B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201811451369.9
申请日：2018-11-30
Applicant: 北京印刷学院
IPC: H01L49/02
Abstract: 本发明公开一种银纳米线复合石墨烯忆阻器及其制备方法。本发明采用的PVDF压电薄膜是一种新型高分子换能材料，它具有独特的介电效应和压电效应，同时具有弹性好、质轻、柔软、高韧度等优点。本发明将PVDF压电薄膜、银纳米线复合石墨烯在传感器领域以及忆阻器领域的应用有机的结合起来，对于开发低成本柔性薄膜记忆器件具有重要现实意义。所述的银纳米线复合石墨烯层生长于柔性第一电极层中PVDF压电薄膜的下表面，器件在外加电场作用下表现出电阻变化，具有记忆特性。本发明提供的基于PVDF压电薄膜的银纳米线复合石墨烯忆阻器可用作存储器件，且制作工艺简单，可先大面积制备然后裁剪成所需尺寸，具有产业化前景。
-
公开(公告)号：CN109802035B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201910066259.9
申请日：2019-01-24
Applicant: 北京印刷学院
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的神经突触仿生器件及制备方法。该仿生器件包括：柔性下电极层、沉积在柔性下电极层上的铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层和位于铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层上方的柔性上电极层；柔性下电极层包括第一柔性基底和位于第一柔性基底上方的第一银纳米线透明电极；柔性上电极层包括第二柔性基底和位于第二柔性基底下方的第二银纳米线透明电极；下电极层和上电极层均为在柔性基底上喷涂银纳米线墨水形成银纳米线湿膜，并在密封容器中恒热处理制成；铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层是采用射频反应磁控共溅射法将铜片加在氮化硅靶材上并通入氧气制成。本发明的神经突触仿生器件能够高效模拟神经突触功能且具有短期可塑性。
-
公开(公告)号：CN109580027B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201811451406.6
申请日：2018-11-30
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明公开了一种柔性温度传感器及制备方法。该柔性温度传感器包括：第一可降解弹性基底、第二可降解弹性基底及柔性阻变温敏电极层；所述柔性阻变温敏电极层设置在所述第一可降解弹性基底以及所述第二可降解弹性基底中间；所述柔性阻变温敏电极层包括可降解蛇形导线、可降解叉指结构薄膜电极以及导电颗粒掺杂型AIDCN薄膜；所述导电颗粒掺杂型AIDCN薄膜覆盖在所述可降解叉指结构薄膜电极表面。本发明以导电颗粒掺杂型AIDCN薄膜作为感温介质，非连续的导电颗粒是温度变化时产生电阻变化的关键，当温度发生变化时，n型半导体AIDCN薄膜中的导电颗粒之间距离发生变化，链状导通电路的电阻率随之改变，表现为随温度变化的电阻率发生变化。
-
公开(公告)号：CN109802035A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910066259.9
申请日：2019-01-24
Applicant: 北京印刷学院
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的神经突触仿生器件及制备方法。该仿生器件包括：柔性下电极层、沉积在柔性下电极层上的铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层和位于铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层上方的柔性上电极层；柔性下电极层包括第一柔性基底和位于第一柔性基底上方的第一银纳米线透明电极；柔性上电极层包括第二柔性基底和位于第二柔性基底下方的第二银纳米线透明电极；下电极层和上电极层均为在柔性基底上喷涂银纳米线墨水形成银纳米线湿膜，并在密封容器中恒热处理制成；铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层是采用射频反应磁控共溅射法将铜片加在氮化硅靶材上并通入氧气制成。本发明的神经突触仿生器件能够高效模拟神经突触功能且具有短期可塑性。
-
公开(公告)号：CN109580027A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811451406.6
申请日：2018-11-30
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明公开了一种柔性温度传感器及制备方法。该柔性温度传感器包括：第一可降解弹性基底、第二可降解弹性基底及柔性阻变温敏电极层；所述柔性阻变温敏电极层设置在所述第一可降解弹性基底以及所述第二可降解弹性基底中间；所述柔性阻变温敏电极层包括可降解蛇形导线、可降解叉指结构薄膜电极以及导电颗粒掺杂型AIDCN薄膜；所述导电颗粒掺杂型AIDCN薄膜覆盖在所述可降解叉指结构薄膜电极表面。本发明以导电颗粒掺杂型AIDCN薄膜作为感温介质，非连续的导电颗粒是温度变化时产生电阻变化的关键，当温度发生变化时，n型半导体AIDCN薄膜中的导电颗粒之间距离发生变化，链状导通电路的电阻率随之改变，表现为随温度变化的电阻率发生变化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109381182A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811183877.3
申请日：2018-10-11
Applicant: 北京印刷学院
IPC: A61B5/0476
Abstract: 本发明提供了一种柔性可拉伸生物传感器。本发明所述的柔性可拉伸生物传感器结构简单，在柔性薄膜基底上设计多个工作电极以及多个信号传输通道，可以保证在一个电极出现问题后，其他电极可以正常的工作，增加器件的安全性，增加信号测量的准确性，减少测量误差。本发明还提供了所述柔性可拉伸生物传感器的制备方法，可增强生物传感器的拉伸性能，进而提高柔性可拉伸生物传感器与被测物的贴合性。
-
公开(公告)号：CN109273598A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811451369.9
申请日：2018-11-30
Applicant: 北京印刷学院
IPC: H01L49/02
Abstract: 本发明公开一种银纳米线复合石墨烯忆阻器及其制备方法。本发明采用的PVDF压电薄膜是一种新型高分子换能材料，它具有独特的介电效应和压电效应，同时具有弹性好、质轻、柔软、高韧度等优点。本发明将PVDF压电薄膜、银纳米线复合石墨烯在传感器领域以及忆阻器领域的应用有机的结合起来，对于开发低成本柔性薄膜记忆器件具有重要现实意义。所述的银纳米线复合石墨烯层生长于柔性第一电极层中PVDF压电薄膜的下表面，器件在外加电场作用下表现出电阻变化，具有记忆特性。本发明提供的基于PVDF压电薄膜的银纳米线复合石墨烯忆阻器可用作存储器件，且制作工艺简单，可先大面积制备然后裁剪成所需尺寸，具有产业化前景。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.016 seconds)
