公开(公告)号：CN119374788A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411494162.5

申请日：2024-10-24

Applicant: 北京卫星环境工程研究所

Inventor： 孟冬辉 ,  刘楚彦 ,  刘招贤 ,  任国华 ,  孙立臣 ,  韩琰 ,  汪力 ,  闫荣鑫

IPC: G01M3/00 ,  G01M3/20

Abstract: 本申请涉及真空检漏技术领域，尤其涉及一种标准漏孔及其制备方法，所述标准漏孔包括第一阻气层、渗透层和第二阻气层，其中，第一阻气层与渗透层的上表面贴合设置，第一阻气层设置有与渗透层连通的进气口；第二阻气层与渗透层的下表面贴合设置，以使渗透层夹持在第一阻气层和第二阻气层之间，示漏气体在渗透层中横向流动。本申请中，通过在渗透层的上下两侧设置第一阻气层和第二阻气层，可以控制示漏气体在渗透层中横向流动，相对于示漏气体在渗透层中纵向流动，更有利于调整渗透层的厚度从毫米量级降低至纳米量级，从而显著降低标准漏孔的漏率下限。

公开(公告)号：CN119643067A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411794922.4

申请日：2024-12-09

Applicant: 北京卫星环境工程研究所

Inventor： 刘楚彦 ,  孟冬辉 ,  刘招贤 ,  任国华 ,  孙立臣 ,  韩琰 ,  汪力 ,  闫荣鑫

IPC: G01M3/20

Abstract: 本发明涉及真空标准漏孔技术领域，尤其涉及一种真空标准漏孔，包括上连接件、下连接件、挡片、上铟圈、下铟圈和铟块，从进气口流入的氦气或其他示漏气体依次经上铟环的内壁、上铟环的内部、上铟环的底面、铟块的顶端面、铟块的底端面、下铟环的顶面、下铟环的内部及下铟环的内壁后，从出气口流出。整体上，借助上铟环、铟块和下铟环构建示漏气体的微量渗透通道，相较于示漏气体直接沿着渗透膜所在面的垂直方向进行渗透的方式，大大地延长了进行微量渗透的路径，同时，可使部分流入渗透通道内的示漏气体扩散至大气中进行损耗。