公开(公告)号：CN116544300A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310303911.0

申请日：2023-03-27

Applicant: 北京信息科技大学 ,  广州市南沙区北科光子感知技术研究院

Inventor： 祝连庆 ,  杨懿琛 ,  郑显通 ,  张东亮 ,  柳渊 ,  鹿利单

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明提供了一种InAs/GaSb II类超晶格红外探测器的制备方法包括：S1、在GaSb衬底上溅射SiO2层；S2、在SiO2层上粘附光刻胶层，并通过掩膜板对光刻胶层进行曝光；S3、对曝光后的光刻胶层进行图案化处理；S4、对SiO2层进行蚀刻，并去除光刻胶层；S5、在SiO2层的间隙内生长InAs/GaSb II类超晶格台；S6、蚀刻去除SiO2层；S7、在InAs/GaSb II类超晶格台的台面及侧壁制备金属电极。本发明针对传统的衬底外延后再进行刻蚀的方法提出改进，提出先对衬底进行刻蚀图形化，再进行外延生长，极大地避免了外延部分化学键的断裂，有效抑制了传统II类超晶格红外探测器存在的较大的表面暗电流。