公开(公告)号：CN119355863A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411616162.8

申请日：2024-11-13

Applicant: 北京信息科技大学 ,  大连交通大学

Inventor： 祝连庆 ,  祝航威 ,  何彦霖 ,  王书凝 ,  王皓萱

IPC: G02B5/30 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明提供了一种具有高透过率的全介质超表面偏振器，包括基底，以及在基底上制备的周期阵列结构；周期阵列结构的每个单元周期，包括一个十字型纳米结构和一个圆环型纳米结构。本发明在可见光波段以及近红外波段的高透过率以及稳定输出的指标需求，为后续超表面器件的研究提供良好的理论基础。

公开(公告)号：CN119270411A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411562069.3

申请日：2024-11-04

Applicant: 北京信息科技大学 ,  广州市南沙区北科光子感知技术研究院

Inventor： 何彦霖 ,  王皓萱 ,  董杭 ,  祝航威 ,  艾森

IPC: G02B5/30 ,  G02B5/18

Abstract: 本发明涉及光学器件领域，公开了一种高消光比双层光栅结构偏振器件，包括石英基底、SiO2介质光栅层和金属层线栅结构，所述SiO2介质光栅层设置于石英基底之上；所述金属层线栅结构设置于SiO2介质光栅层之上，所述金属层线栅结构与SiO2介质光栅层共同组成双层光栅结构；通过调节双层光栅结构的单元结构、厚度及光栅宽度，使得高消光比双层光栅结构偏振器件在近红外波段1～2μm内具有75dB以上的消光比。通过偏振器件在近红外波段(1～2μm)内具有高达75dB以上的消光比，这显著高于传统单层光栅结构的偏振器件，高消光比意味着该偏振器件能够更有效地阻挡特定方向的偏振光，同时仅允许另一方向的偏振光透射，极大提高了偏振选择性和探测灵敏度。