一种基于InAs/InAsSb的应变平衡超晶格的制备方法

    公开(公告)号:CN115632078A

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN202211300933.3

    申请日:2022-10-24

    Abstract: 本发明提供了一种基于InAs/InAsSb的应变平衡超晶格的制备方法,包括如下步骤:步骤1、对GaSb(100)衬底进行除气;步骤2、对GaSb(100)衬底进行脱氧处理;步骤3、在465℃的温度下,在GaSb(100)衬底上生长GaSb缓冲层,其中,Sb与Ga的五三束流比为5;步骤4、按照20℃/min降温速率降温至385℃,并在该温度下生长100个周期的InAs/InAsxSb1‑x超晶格,其中,In源炉温度为838.3℃,As源炉温度为380℃,Sb源炉温度为620℃,As与In的五三束流比为6,Sb与In的五三束流比为3.7。本发明通过分子束外延(MBE)的方法,实现了在GaSb衬底上生长高质量的InAs/InAsxSb1‑xⅡ类超晶格结构,超晶格结构由100个周期组成,解决了超晶格应变不平衡的问题。

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