有机薄膜晶体管的制造方法

    公开(公告)号:CN100514698C

    公开(公告)日:2009-07-15

    申请号:CN200710179959.6

    申请日:2007-12-20

    Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管的制造方法,适用于显示器,传感器,无线射频识别RFID标签等领域。该有机薄膜晶体管的结构包括在基底(101)上依次制作的栅极(102)、栅绝缘层(103)、自组装单分子层(104)、有机半导体层(105)、源极(106)、漏极(107)。其中有机半导体层的制备通过可溶性并五苯衍生物先驱物转化为并五苯薄膜来实现。用这种方法,有机半导体材料利用溶液进行大面积旋涂、打印,完成柔性衬底大规模集成电路中有机薄膜晶体管的制作,降低有机薄膜晶体管集成电路的制作成本,同时在栅绝缘层上采用OTS溶液形成自组装单分子层保证了有机薄膜晶体管具有高的迁移率,低的漏电流及电路工作电压。

    有机薄膜晶体管的制造方法

    公开(公告)号:CN101188273A

    公开(公告)日:2008-05-28

    申请号:CN200710179959.6

    申请日:2007-12-20

    Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管的制造方法,适用于显示器,传感器,无线射频识别RFID标签等领域。该有机薄膜晶体管的结构包括在基底(101)上依次制作的栅极(102)、栅绝缘层(103)、自组装单分子层(104)、有机半导体层(105)、源极(106)、漏极(107)。其中有机半导体层的制备通过可溶性并五苯衍生物先驱物转化为并五苯薄膜来实现。用这种方法,有机半导体材料利用溶液进行大面积旋涂、打印,完成柔性衬底大规模集成电路中有机薄膜晶体管的制作,降低有机薄膜晶体管集成电路的制作成本,同时在栅绝缘层上采用OTS溶液形成自组装单分子层保证了有机薄膜晶体管具有高的迁移率,低的漏电流及电路工作电压。

    一种用于VFD、FED真空阴极射线平板显示的薄膜发光屏

    公开(公告)号:CN1945784B

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:CN200610114228.9

    申请日:2006-11-02

    Abstract: 本发明公开了一种用于真空阴极射线平板显示中的薄膜发光屏,适用于VFD及FED显示。该发光屏,包括:依次在ITO导电玻璃(5)上制作P型有机发光层(4)、无机发光层(3)、真空层(2)和阴极(1)。另外在上述结构的基础上,在ITO导电玻璃(5)与P型有机发光层(4)之间嵌入电子阻挡层(6),提高P型有机发光层中的载流子复合几率,增强激子发光。再次,在以上两种结构的基础上,在P型有机发光层(4)靠无机发光层(3)的一面嵌入透过电子的金网状电极(7),在此电极和ITO之间施加电压1~10V,调节复合发光强度。本发明有效的避免电子积累,且在电子与空穴复合过程中还可发光,增强发光亮度。

    有机薄膜晶体管的制造方法

    公开(公告)号:CN101188272A

    公开(公告)日:2008-05-28

    申请号:CN200710179958.1

    申请日:2007-12-20

    Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管的制造方法,适用于显示器,传感器,无线射频识别RFID标签等领域。该有机薄膜晶体管的结构包括:依次在基底(101)上制作的栅极(102)、栅绝缘层(103)、源极(104)、漏极(105)、表面修饰层(106)、有机半导体层(107)。其中有机半导体层的制备通过可溶性并五苯衍生物先驱物转化为并五苯薄膜来实现。采用这种方法,有机半导体材料利用溶液进行大面积旋涂、打印,完成柔性衬底的大规模集成电路中有机薄膜晶体管的制作,降低有机薄膜晶体管集成电路的制作成本,同时在源极和漏极上采用硫醇溶液形成表面修饰层进一步保证了有机薄膜晶体管具有高的迁移率,低的漏电流及电路工作电压。

    一种用于VFD、FED真空阴极射线平板显示的薄膜发光屏

    公开(公告)号:CN1945784A

    公开(公告)日:2007-04-11

    申请号:CN200610114228.9

    申请日:2006-11-02

    Abstract: 本发明公开了一种用于真空阴极射线平板显示中的薄膜发光屏,适用于VFD及FED显示。该发光屏,包括:依次在ITO导电玻璃(5)上制作P型有机发光层(4)、无机发光层(3)、真空层(2)和阴极(1)。另外在上述结构的基础上,在ITO导电玻璃(5)与P型有机发光层(4)之间嵌入电子阻挡层(6),提高P型有机发光层中的载流子复合几率,增强激子发光。再次,在以上两种结构的基础上,在P型有机发光层(4)靠无机发光层(3)的一面嵌入透过电子的金网状电极(7),在此电极和ITO之间施加电压1~10V,调节复合发光强度。本发明有效的避免电子积累,且在电子与空穴复合过程中还可发光,增强发光亮度。

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