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发明公开
底端为源极的垂直构型场效应发光管及其制备方法无效

公开(公告)号：CN101075662A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710100157.1

申请日：2007-06-05

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 杨盛谊 , 娄志东 , 杜文树 , 齐洁茹 , 邓振波

IPC: H01L51/50 , H01L51/56

Abstract: 底端为源极的垂直构型场效应发光管及其制备方法，在刚性或柔性衬底上制备源极，将半导体材料蒸镀到源极上，在半导体薄膜层上蒸镀导电电极作为栅极，接着蒸镀半导体层以及有机发光复合功能薄膜层，最后蒸镀导电电极作为漏极完成场效应发光管器件的制备。除了导电电极之外，由于场效应发光管使用了垂直结构，所以其制作工艺简单，无需光刻等复杂工艺，沟道长度可以作得很薄，可大大提高发光管器件的“开/关”电流比。对于质轻、价廉及可与柔性衬底相兼容的有机材料，更有利于提高有机膜的有序性和场效应迁移率。本发明利用有机和无机材料、垂直构型场效应晶体管各自的优点组合后，制备出工作电压低、响应速度快、性能优良的垂直构型场效应发光管。

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