-
公开(公告)号：CN101819326B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010149343.6
申请日：2010-04-15
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及一种用于形成空心光束的光子晶体光纤耦合器及其制备方法。根据本发明的光子晶体光纤耦合器，包括：其一端作为光子晶体光纤耦合器输入端的单模光纤；其一端作为光子晶体光纤耦合器输出端的环芯光子晶体光纤；其特征在于：该光子晶体光纤耦合器进一步包括环芯光子晶体光纤的另一端与单模光纤另一端的熔接接合区，以便在光子晶体光纤耦合器的输入端接收输入光时在光子晶体光纤耦合器的输出端获得空心光束。
-
公开(公告)号：CN102092937A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010590664.X
申请日：2010-12-15
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及一种迅速优化光子晶体光纤拉制工艺的方法。该方法在光子晶体光纤拉制过程中包括以下步骤：截断拉成且未涂覆的裸光纤，采集拉制得到的裸光纤的横截面图像；对裸光纤横截面图像进行边缘检测，并重构裸光纤横截面几何结构；根据所述重构的裸光纤横截面几何结构，对裸光纤横截面内区域进行网格划分；使用数值模拟方法分析裸光纤的光子晶体光纤特性；将裸光纤的分析特性与光子晶体光纤的设计特性进行比较，得到比较结果；根据比较结果，调整光子晶体光纤拉制工艺参数；重复上述步骤直至所拉制裸光纤的分析特性与其设计特性的差异可忽略不计，得到一组拉制该光子晶体光纤的优化工艺参数。
-
公开(公告)号：CN101041550B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200610169729.7
申请日：2006-12-28
Applicant: 北京交通大学
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/01815 , C03B2207/46 , Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及一种低温气体制冷提高MCVD沉积效率与质量的方法和装置，尤其适用于掺杂光纤制作中疏松层的沉积过程，提高疏松层质量。该方法先对制冷气体进行低温冷却，然后使冷气通过喷气吹冷装置给MCVD沉积过程中的沉积管加热反应区下游降温，从而改变管内反应产生物颗粒的沉积附着过程，提高沉积效率，同时改善生成物颗粒附着层的质量。发明中还包含了制冷气体的冷却降温装置。使用本发明可以提高光纤预制棒生产效率和质量，特别是有利于提高用于制作光纤激光器和放大器的掺杂光纤的质量。
-
公开(公告)号：CN101819326A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010149343.6
申请日：2010-04-15
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及一种用于形成空心光束的光子晶体光纤耦合器及其制备方法。根据本发明的光子晶体光纤耦合器，包括：其一端作为光子晶体光纤耦合器输入端的单模光纤；其一端作为光子晶体光纤耦合器输出端的环芯光子晶体光纤；其特征在于：该光子晶体光纤耦合器进一步包括环芯光子晶体光纤的另一端与单模光纤另一端的熔接接合区，以便在光子晶体光纤耦合器的输入端接收输入光时在光子晶体光纤耦合器的输出端获得空心光束。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101033112A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200610169807.3
申请日：2006-12-29
Applicant: 北京交通大学
IPC: C03B37/01 , C03B37/012
CPC classification number: C03B37/01217 , C03B2203/31
Abstract: 本发明提出了一种利用侧向对称开槽制作熊猫型保偏光纤的方法。该方法首先在已制备的预制棒棒心两侧，完全对称地进行纵向开槽，使两边槽的中心线和棒的中心线在同一平面上，两边槽的底部离棒中心线的距离相等；再将掺硼应力棒对称地嵌入预制棒两侧的槽中，使两侧掺硼应力棒的中心线和预制棒的中心线处于同一平面上；再一并放入纯石英套管中，用纯石英毛细棒填充空隙部分后，在一端烧结后拉制成光纤(如摘要附图所示)。该制作方法简单，廉价，成品率高且光纤的性能优越，得到的预制棒纵向均匀，且纵向长度很长，适合进行大规模的生产。
-
公开(公告)号：CN101041550A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200610169729.7
申请日：2006-12-28
Applicant: 北京交通大学
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/01815 , C03B2207/46 , Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及一种低温气体制冷提高MCVD沉积效率与质量的方法和装置，尤其适用于掺杂光纤制作中疏松层的沉积过程，提高疏松层质量。该方法先对制冷气体进行低温冷却，然后使冷气通过喷气吹冷装置给MCVD沉积过程中的沉积管加热反应区下游降温，从而改变管内反应产生物颗粒的沉积附着过程，提高沉积效率，同时改善生成物颗粒附着层的质量。本发明中还包含了制冷气体的冷却降温装置。使用本发明可以提高光纤预制棒生产效率和质量，特别是有利于提高用于制作光纤激光器和放大器的掺杂光纤的质量。
-
公开(公告)号：CN102092937B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201010590664.X
申请日：2010-12-15
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及一种迅速优化光子晶体光纤拉制工艺的方法。该方法在光子晶体光纤拉制过程中包括以下步骤：截断拉成且未涂覆的裸光纤，采集拉制得到的裸光纤的横截面图像；对裸光纤横截面图像进行边缘检测，并重构裸光纤横截面几何结构；根据所述重构的裸光纤横截面几何结构，对裸光纤横截面内区域进行网格划分；使用数值模拟方法分析裸光纤的光子晶体光纤特性；将裸光纤的分析特性与光子晶体光纤的设计特性进行比较，得到比较结果；根据比较结果，调整光子晶体光纤拉制工艺参数；重复上述步骤直至所拉制裸光纤的分析特性与其设计特性的差异可忽略不计，得到一组拉制该光子晶体光纤的优化工艺参数。
-
公开(公告)号：CN101021591B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200710065225.5
申请日：2007-04-06
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 侧漏型光子晶体光纤结构中存在自芯区向外延伸穿过包层区并与纤芯平行的、横截面高度位于传输光半波长和波长之间的一条或两条光波高等效折射率线状区域，该侧漏型光子晶体光纤的制备方法包括材料的选取加工、预制棒制作和上拉丝塔充气压拉丝三个步骤。该侧漏型光子晶体光纤导模的两个垂直偏振态的传输损耗具有明显差异，本身可作为单偏振光纤使用，由于有较强的转动敏感性，适合于微小转角度光纤传感，还可以用以进行高质量光纤耦合器的标准化、自动化生产。
-
公开(公告)号：CN101021591A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710065225.5
申请日：2007-04-06
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 侧漏型光子晶体光纤结构中存在自芯区向外延伸穿过包层区并与纤芯平行的、横截面高度位于传输光半波长和波长之间的一条或两条光波高等效折射率线状区域，该侧漏型光子晶体光纤的制备方法包括材料的选取加工、预制棒制作和上拉丝塔充气压拉丝三个步骤。该侧漏型光子晶体光纤导模的两个垂直偏振态的传输损耗具有明显差异，本身可作为单偏振光纤使用，由于有较强的转动敏感性，适合于微小转角度光纤传感，还可以用以进行高质量光纤耦合器的标准化、自动化生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.026 seconds)
