公开(公告)号：CN100583486C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN03823552.8

申请日：2003-09-03

Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  通用电气公司

Inventor： R·阿切尔 ,  N·贝尼斯 ,  T·巴特勒 ,  S·西纳 ,  C·弗丹 ,  D·弗塞瑟 ,  M·里德比特 ,  C·墨菲 ,  N·帕特尔 ,  N·飞利浦斯 ,  M·罗伯茨 ,  A·R·杜加尔 ,  刘杰

IPC: H01L51/40

Abstract: 一种形成光学器件的方法，包括如下步骤：提供包括能够注入或接受第一类型的电荷载体的第一电极的基层；通过沉积无可交联乙烯基或乙炔基的并且在沉积时可溶于溶剂中的第一半导体材料，在第一电极上形成至少部分不溶于溶剂的第一层；通过从溶剂的溶液中沉积第二半导体材料而形成与第一层接触并包括第二半导体材料的第二层；和在第二层上形成能够注入或接受第二类型电荷载体的第二电极，其中在沉积第一半导体材料后通过热、真空和环境干燥处理中的一种或多种方式使该第一层至少部分不可溶。

公开(公告)号：CN1689173A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03823552.8

申请日：2003-09-03

Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  通用电气公司

Inventor： R·阿切尔 ,  N·贝尼斯 ,  T·巴特勒 ,  S·西纳 ,  C·弗丹 ,  D·弗塞瑟 ,  M·里德比特 ,  C·墨菲 ,  N·帕特尔 ,  N·飞利浦斯 ,  M·罗伯茨 ,  A·R·杜加尔 ,  刘杰

IPC: H01L51/40

Abstract: 一种形成光学器件的方法，包括如下步骤：提供包括能够注入或接受第一类型的电荷载体的第一电极的基层；通过沉积无可交联乙烯基或乙炔基的并且在沉积时可溶于溶剂中的第一半导体材料，在第一电极上形成至少部分不溶于溶剂的第一层；通过从溶剂的溶液中沉积第二半导体材料而形成与第一层接触并包括第二半导体材料的第二层；和在第二层上形成能够注入或接受第二类型电荷载体的第二电极，其中在沉积第一半导体材料后通过热、真空和环境干燥处理中的一种或多种方式使该第一层至少部分不可溶。