公开(公告)号：CN101223236B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200680025584.1

申请日：2006-07-14

Applicant: CDT牛津有限公司 ,  剑桥显示技术有限公司

Inventor： A·施托伊德尔 ,  M·麦基尔南 ,  J·伯勒斯

IPC: C08L65/00 ,  H01B1/12 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0039 ,  H01B1/127 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/004 ,  H01L51/5088

Abstract: 一种用于有机光发射装置的导电组合物，包括：具有共轭主链的聚阳离子；平衡聚阳离子上电荷的聚阴离子；和包含侧接于聚合物主链的侧基的半导体空穴传输聚合物，每个侧基包括一个或多个XY基团，其中XY表示具有高电离常数的基团从而其可以完全被电离。

公开(公告)号：CN101870765A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010213318.X

申请日：2003-11-04

Applicant: 剑桥显示技术有限公司

Inventor： J·伯勒斯 ,  R·弗兰德 ,  C·福登

IPC: C08G61/00 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

CPC classification number: H05B33/14 ,  C08G61/02 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/146 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/149 ,  C08G2261/514 ,  C08G2261/5222 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1425 ,  C09K2211/1433 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/50 ,  Y10S428/917

Abstract: 一种包含任选地经取代的以式(I)表示的第一重复单元的聚合物：式中Ar选自(a)经至少一个吸电子基团取代的芳烃或(b)吸电子杂芳基。该聚合物可用于场致发光器件中。

公开(公告)号：CN1487937A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN02804060.0

申请日：2002-01-23

Applicant: 剑桥显示技术有限公司

Inventor： J·伯勒斯 ,  C·汤斯 ,  T·庞斯 ,  J·哈尔斯

IPC: C07D417/14 ,  C08G61/10 ,  C09K11/06 ,  H01L51/20

CPC classification number: H01L51/0036 ,  C07D417/14 ,  C08G61/10 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1051 ,  C09K2211/1092 ,  C09K2211/1408 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1425 ,  C09K2211/1458 ,  C09K2211/1483 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/5012 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S428/917

Abstract: 一种通式(I)的单体，它可以被取代或未取代，其中E和E1相同或不同，并且是能进行链延长的活性基；X是O，S，NR5，R5C－CR6或R5C＝CR6；Y是O，S，NR7，R7C－CR8或R7C＝CR8；R5，R6，R7和R8相同或不同，并且各自独立地是H或取代基；而且每个Ar相同或不同，并且独立地是取代或未取代的芳基或杂芳基。

公开(公告)号：CN102144312B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN200980134309.7

申请日：2009-08-05

Applicant: 剑桥显示技术有限公司

Inventor： T·库勒 ,  J·伯勒斯 ,  J·卡特尔 ,  E·史密斯 ,  J·哈尔斯 ,  C·纽萨姆

IPC: H01L51/10

CPC classification number: H01L51/0022 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明提供有机薄膜晶体管(TFT)的制造方法，该方法包括：提供基板层；提供栅极层；提供介电材料层；提供有机半导体(OSC)材料层；提供源极和漏极层；并且其中使用激光诱导热成像(LITI)工艺沉积这些层中的一个或多个。优选地，该有机TFT是底栅器件并且使用LITI将源极和漏极沉积在介电材料层上方或者有机半导体层上。还优选地，可以在OSC材料与源极和漏极层之间提供掺杂剂材料，其中该掺杂剂材料也可以使用LITI沉积。还优选地，其中该掺杂剂可以是电荷中性掺杂剂例如取代的TCNQ或F4TCNQ。

公开(公告)号：CN102144311A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980134307.8

申请日：2009-08-07

Applicant: 剑桥显示技术有限公司

Inventor： T·库勒 ,  J·伯勒斯 ,  J·卡特尔 ,  J·哈尔斯 ,  C·纽萨姆

IPC: H01L51/05

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0562 ,  Y02E10/549

Abstract: 顶栅晶体管的形成方法，该方法包括如下步骤：提供带有源极和漏极的基板，该源极和漏极在其间限定沟道区；处理该沟道区的表面的至少一部分以降低其极性；并在该沟道中沉积半导体层。

公开(公告)号：CN1263754C

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN02804060.0

申请日：2002-01-23

Applicant: 剑桥显示技术有限公司

Inventor： J·伯勒斯 ,  C·汤斯 ,  T·庞斯 ,  J·哈尔斯

IPC: C07D417/14 ,  C08G61/10 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0036 ,  C07D417/14 ,  C08G61/10 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1051 ,  C09K2211/1092 ,  C09K2211/1408 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1425 ,  C09K2211/1458 ,  C09K2211/1483 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/5012 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10S428/917

Abstract: 一种通式(I)的单体，它可以被取代或未取代，其中E和E1相同或不同，并且是能进行链延长的活性基；X是O，S，NR5，R5C-CR6或R5C＝CR6；Y是O，S，NR7，R7C-CR8或R7C＝CR8；R5，R6，R7和R8相同或不同，并且各自独立地是H或取代基；而且每个Ar相同或不同，并且独立地是取代或未取代的芳基或杂芳基。

公开(公告)号：CN101870765B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201010213318.X

申请日：2003-11-04

Applicant: 剑桥显示技术有限公司

Inventor： J·伯勒斯 ,  R·弗兰德 ,  C·福登

IPC: C08G61/00 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

CPC classification number: H05B33/14 ,  C08G61/02 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/146 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/149 ,  C08G2261/514 ,  C08G2261/5222 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1425 ,  C09K2211/1433 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/50 ,  Y10S428/917

Abstract: 一种包含任选地经取代的以式(I)表示的第一重复单元的聚合物：式中Ar选自(a)经至少一个吸电子基团取代的芳烃或(b)吸电子杂芳基。该聚合物可用于场致发光器件中。

公开(公告)号：CN101696220A

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200910140587.5

申请日：2003-11-04

Applicant: 剑桥显示技术有限公司

Inventor： J·伯勒斯 ,  R·弗兰德 ,  C·福登

IPC: C07F5/02 ,  C07F5/04 ,  C07C25/22

CPC classification number: H05B33/14 ,  C08G61/02 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/146 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/149 ,  C08G2261/514 ,  C08G2261/5222 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1425 ,  C09K2211/1433 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/50 ,  Y10S428/917

Abstract: 一种包含任选地经取代的以式(I)表示的第一重复单元的聚合物：式中Ar选自(a)经至少一个吸电子基团取代的芳烃或(b)吸电子杂芳基。该聚合物可用于场致发光器件中。

公开(公告)号：CN101223236A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200680025584.1

申请日：2006-07-14

Applicant: CDT牛津有限公司 ,  剑桥显示技术有限公司

Inventor： A·施托伊德尔 ,  M·麦基尔南 ,  J·伯勒斯

IPC: C08L65/00 ,  H01B1/12 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0039 ,  H01B1/127 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/004 ,  H01L51/5088

Abstract: 一种用于有机光发射装置的导电组合物，包括：具有共轭主链的聚阳离子；平衡聚阳离子上电荷的聚阴离子；和包含侧接于聚合物主链的侧基的半导体空穴传输聚合物，每个侧基包括一个或多个XY基团，其中XY表示具有高电离常数的基团从而其可以完全被电离。

公开(公告)号：CN1726243A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200380105763.2

申请日：2003-11-04

Applicant: 剑桥显示技术有限公司

Inventor： J·伯勒斯 ,  R·弗兰德 ,  C·福登

IPC: C08G61/02 ,  C09K11/06 ,  H01L51/00

CPC classification number: H05B33/14 ,  C08G61/02 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/146 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/149 ,  C08G2261/514 ,  C08G2261/5222 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1425 ,  C09K2211/1433 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/50 ,  Y10S428/917

Abstract: 一种包含任选地经取代的以式(I)表示的第一重复单元的聚合物：式中Ar选自(a)经至少一个吸电子基团取代的芳烃或(b)吸电子杂芳基。该聚合物可用于场致发光器件中。