公开(公告)号：CN107438907A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201580074603.9

申请日：2015-11-20

Applicant: 剑桥企业有限公司 ,  阿卜杜拉阿齐兹国王科技城

Inventor： 理查德·弗兰德 ,  陈致匡 ,  李广如 ,  狄大卫 ,  尼尔·C·格里纳姆

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 宽泛而言，本发明的实施方案提供了固态发光器件和制造固态发光器件的方法。所述方法包括制备嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的半导体钙钛矿纳米粒子的薄层。在实施方案中，所述方法包括将半导体钙钛矿材料或其前体的溶液与具有比半导体钙钛矿材料或其前体宽的带隙的材料的溶液共混，接着从由此形成的混合物中移除溶剂，得到嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的半导体钙钛矿纳米粒子。

公开(公告)号：CN107438907B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201580074603.9

申请日：2015-11-20

Applicant: 剑桥企业有限公司 ,  阿卜杜拉阿齐兹国王科技城

Inventor： 理查德·弗兰德 ,  陈致匡 ,  李广如 ,  狄大卫 ,  尼尔·C·格里纳姆

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 宽泛而言，本发明的实施方案提供了固态发光器件和制造固态发光器件的方法。所述方法包括制备嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的半导体钙钛矿纳米粒子的薄层。在实施方案中，所述方法包括将半导体钙钛矿材料或其前体的溶液与具有比半导体钙钛矿材料或其前体宽的带隙的材料的溶液共混，接着从由此形成的混合物中移除溶剂，得到嵌入在具有比半导体钙钛矿纳米粒子宽的带隙的材料的基质或共混物中的半导体钙钛矿纳米粒子。

公开(公告)号：CN107949925A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201680049989.2

申请日：2016-06-30

Applicant: 剑桥企业有限公司 ,  阿卜杜拉阿齐兹国王科技城

Inventor： 理查德·亨利·弗兰德 ,  李广如 ,  狄大卫 ,  礼萨·萨贝里·穆加达姆 ,  陈致匡

IPC: H01L51/50 ,  G02B1/02 ,  G02B5/20 ,  H01L27/32 ,  H05B33/20

CPC classification number: G02B1/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B1/04 ,  G02B5/206 ,  H01L27/322 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/005 ,  H01L51/502 ,  H01L2251/303

Abstract: 我们描述一种发光装置(120，130)，所述发光装置包括基底(102)和沉积在所述基底上的包含钙钛矿晶体的膜(122，132)，其中所述包含钙钛矿晶体的膜用绝缘氧化物或绝缘氮化物的层(124，134)包封，或者包封在绝缘氧化物或绝缘氮化物的基体(124，134)内。

公开(公告)号：CN115188903A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210477793.0

申请日：2016-06-30

Applicant: 剑桥企业有限公司 ,  阿卜杜拉阿齐兹国王科技城

Inventor： 理查德·亨利·弗兰德 ,  李广如 ,  狄大卫 ,  礼萨·萨贝里·穆加达姆 ,  陈致匡

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 我们描述一种发光装置(120，130)，所述发光装置包括基底(102)和沉积在所述基底上的包含钙钛矿晶体的膜(122，132)，其中所述包含钙钛矿晶体的膜用绝缘氧化物或绝缘氮化物的层(124，134)包封，或者包封在绝缘氧化物或绝缘氮化物的基体(124，134)内。