公开(公告)号：CN100498209C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200580004823.0

申请日：2005-02-14

Applicant: 分子制模股份有限公司

Inventor： I·M·麦克曼肯 ,  P·D·苏马克 ,  崔炳镇 ,  S·V·斯里尼瓦桑 ,  M·P·C·瓦茨

IPC: G01B11/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B29C43/003 ,  B29C2043/025 ,  B81C1/0046 ,  B81C99/004 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/8422 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/7065

Abstract: 本发明涉及提供一种方法和系统，以测量设置在一基底上的薄膜的特征。该方法包括识别在薄膜上的多个处理区域；测量多个处理区域的一子部分的特征，形成测量的特征；确定测量的特征中的一个的变化；以及根据测量的特征中的一个与子部分的其余处理区域相关的测量的特征的比较，设想变化的原因。该系统实现上述方法。

公开(公告)号：CN1918448A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200580004823.0

申请日：2005-02-14

Applicant: 分子制模股份有限公司

Inventor： I·M·麦克曼肯 ,  P·D·苏马克 ,  崔炳镇 ,  S·V·斯里尼瓦桑 ,  M·P·C·瓦茨

IPC: G01B11/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B29C43/003 ,  B29C2043/025 ,  B81C1/0046 ,  B81C99/004 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/8422 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/7065

Abstract: 本发明涉及提供一种方法和系统，以测量设置在一基底上的薄膜的性能。该方法包括识别在薄膜上的多个处理区域；测量多个处理区域的一子部分的性能，形成测量的性能；确定测量的性能中的一个的变化；以及根据测量的性能中的一个与与子部分的其余处理区域相关的测量的性能的比较，设想变化的原因。该系统实现上述方法。