公开(公告)号：CN102603345A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210079163.4

申请日：2012-03-23

Applicant: 内蒙古工业大学

Inventor： 董红英 ,  田鑫 ,  何伟艳 ,  马文 ,  任艳萍 ,  丑明月

IPC: C04B37/00

Abstract: 本发明属于陶瓷材料连接技术领域，提供了一种采用高温中间层材料进行陶瓷材料快速连接的方法，采用Ti3SiC2系列材料作为高温中间层材料，将中间层原料和陶瓷材料按照陶瓷材料、中间层原料、陶瓷材料方式装配入石墨模具，采用放电等离子烧结技术实现陶瓷材料的原位反应快速连接，在连接碳化硅陶瓷时，取得了良好的连接效果，高温中间层材料可以用来直接连接陶瓷材料及陶瓷基复合材料，不需要在连接前对陶瓷材料表面进行表面预镀膜或其它改性处理，采用此高温中间层材料连接的陶瓷材料，连接强度高且高温性能稳定。采用此连接方法，可以实现Ti3SiC2系列中间层材料合成与陶瓷材料连接一步完成，连接工艺简便、快速、易操作。

公开(公告)号：CN102603345B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201210079163.4

申请日：2012-03-23

Applicant: 内蒙古工业大学

Inventor： 董红英 ,  田鑫 ,  何伟艳 ,  马文 ,  任艳萍 ,  丑明月

IPC: C04B37/00

Abstract: 本发明属于陶瓷材料连接技术领域，提供了一种采用高温中间层材料进行陶瓷材料快速连接的方法，采用Ti3SiC2系列材料作为高温中间层材料，将中间层原料和陶瓷材料按照陶瓷材料、中间层原料、陶瓷材料方式装配入石墨模具，采用放电等离子烧结技术实现陶瓷材料的原位反应快速连接，在连接碳化硅陶瓷时，取得了良好的连接效果，高温中间层材料可以用来直接连接陶瓷材料及陶瓷基复合材料，不需要在连接前对陶瓷材料表面进行表面预镀膜或其它改性处理，采用此高温中间层材料连接的陶瓷材料，连接强度高且高温性能稳定。采用此连接方法，可以实现Ti3SiC2系列中间层材料合成与陶瓷材料连接一步完成，连接工艺简便、快速、易操作。

公开(公告)号：CN102584311A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210038467.6

申请日：2012-02-21

Applicant: 内蒙古工业大学

Inventor： 董红英 ,  田鑫 ,  马文 ,  何伟艳 ,  任艳萍 ,  丑明月

IPC: C04B37/00 ,  C22C14/00 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05

Abstract: 本发明属于陶瓷材料制备领域，提供了一种采用高温中间层材料进行陶瓷连接的方法，采用Ti3SiC2作为高温中间层材料，将高温中间层材料和陶瓷材料按照陶瓷材料、高温中间层材料、陶瓷材料方式装配入石墨模具，采用放电等离子烧结技术实现陶瓷材料的连接，在连接碳化硅陶瓷时，取得了良好的连接效果。高温中间层材料可以用来直接连接陶瓷材料及陶瓷基复合材料，不需要在连接前对陶瓷材料表面进行表面预镀膜或其它改性处理，采用此高温中间层材料连接的陶瓷材料，连接强度高且高温性能稳定。