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公开(公告)号：CN117512558A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311547875.9
申请日：2023-11-20
Applicant: 兰州大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及二维硫化物技术领域，具体涉及一类二维过渡金属/合金硫化物及其制备方法，该方法首先将过渡金属氧酸盐和含硫元素盐按一定的摩尔比混合，然后通过管式炉对混合盐在高温下进行加热，使混合盐反应生成二维过渡金属/合金硫化物，并将二维过渡金属/合金硫化物沉积在生长衬底上获得单层/多层二维过渡金属/合金硫化物，本发明制备单层/多层二维过渡金属/合金硫化物的方法具有操作简便、经济和普适性强的特点。
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公开(公告)号：CN116354396A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310291797.4
申请日：2023-03-23
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及电学材料制备技术领域，具体涉及一种富含缺陷簇单层MoS2、制备方法及其应用，利用CVD方法合成富含3FeMo‑VS缺陷簇的单层Fe掺杂MoS2样品，在单层2D TMDs中制备丰富的替位掺杂‑空位形成的缺陷簇，并研究该类缺陷簇对单层2D TMDs物理性质的影响，对未掺杂单层MoS2和含3FeMo‑VS缺陷簇单层MoS2的电学测试表明3FeMo‑VS缺陷簇对单层MoS2提供了空穴掺杂(P型掺杂)作用，与常见孤立FeMo掺杂对单层MoS2样品造成电子掺杂(N型掺杂)的情况完全不同，此外，3FeMo‑VS缺陷簇的存在使得单层Fe掺杂MoS2样品与金属电极间形成良好的欧姆接触，消除了金属‑半导体之间的肖特基接触势垒。
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公开(公告)号：CN103395058B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310292584.X
申请日：2013-07-12
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米机器人控制设备，包括：电子显微镜原位纳米机器人电子控制设备，纳米操纵器，CCD相机，其中所述电子显微镜原位纳米机器人电子控制设备能将所述纳米操纵器反馈回的实时运动轨迹与CCD相机监测的纳米操纵器实时运动轨迹进行对比，当发现两个位置不一样时可及时的调整控制步长，或者对其进行复位，实现了对纳米操作器的智能化精确控制。电子显微镜原位纳米机器人电子控制设备还有2种进行控制的上位机，PC机和PS手柄，通过电路切换能同时控制，也能够单独的控制，可很方便的实现两种控制之间的转换，操作过程人性化，直观化。
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公开(公告)号：CN103293340B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310207354.9
申请日：2013-05-29
Applicant: 兰州大学
IPC: G01Q30/02
Abstract: 本发明属于磁性纳米材料和磁性纳米结构器件输运性质的测量方法，特别涉及扫描电镜磁阻测量样品台及纳米单体磁输运性质测量仪器。扫描电镜磁阻测量样品台，包括底座、旋转体、卡台、旋转轴、样品台，底座外部为圆柱状，底座内壁设有螺纹凹槽，压电陶瓷堆位于底座内部，旋转体位于底座之上，旋转体通过旋转轴与底座连接，螺帽状的卡台将旋转轴的底部和旋转体，样品台位于卡台上部。本发明最大的创新之处是在全世界范围内，首次将磁场引入扫描电子显微镜，实现纳米空间上的实时、动态、图像化磁输运性质测量，实现定点、快速、直观、全程监控且物性测量。
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公开(公告)号：CN102608359A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210045621.2
申请日：2012-02-25
Applicant: 兰州大学
IPC: G01Q10/00
Abstract: 本发明属于纳米操纵器领域，特别涉及一种通过压电陶瓷驱动的纳米操纵器。该操纵器包括定位装置及执行机构，所述的定位装置包括运动轨道、压电陶瓷、运动台，压电陶瓷安装在运动轨道内，加脉冲电压于压电陶瓷上，驱动运动台摩擦接触的沿运动轨道运动；执行机构与运动台连接，所述的执行机构为操纵手。本发明结构对称布置，平衡性好，尺寸紧凑，直线运动，在一定的程度上还减小了内应力和抵消温度引起的形变，可广泛应用于精确操控、剪裁和组装纳米单体及精确测量纳米单体物理性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118888233B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410860256.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明提供一种铁磁体及其制备方法和应用。该铁磁体包括MxCr1.5‑xTe2，其中，M占MxCr1.5‑xTe2原子比总数的百分比为A％，A％满足如下关系：A％＝x/3.5×100％；其中，A的取值范围为0＜A≤5；和/或，x的取值范围为0＜x＜1.5；和/或，M包括非磁性元素，优选地，M选自铜元素、锌元素或铝元素中的一种或多种。本发明通过掺杂非磁性元素实现了室温下的稳定铁磁性，突破了传统二维材料低温铁磁性的限制，并确认非磁性元素掺杂在实现室温铁磁性方面的有效性。并为其在磁存储器件和自旋电子器件中的应用提供了技术支持。
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公开(公告)号：CN116199191A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310221603.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种利用电子束诱导在非晶中生长纳米级二维材料的方法。本发明利用聚焦电子束对铁电样品的结晶区域与非晶区域的交界处和非晶区域的原子团进行辐照，电子束辐照铁电样品会引入能量，因为铁电样品的结晶与非晶边缘和不稳定的原子团处能量较高，电子束辐照引入的能量会在铁电样品的结晶与非晶边缘或者不稳定的原子团中产生空穴和点缺陷，进而生长出同样元素但能量更低的新的纳米级二维材料。
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公开(公告)号：CN105823908B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201610408612.3
申请日：2016-06-08
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 兰州大学
IPC: G01Q30/20
Abstract: 本发明公开了一种全温区热电两场透射电子显微镜原位样品杆，包括DEWAR固定圈、DEWAR外罐上部、DEWAR外罐下部、导向销、样品杆外壳、密封圈、固定件和样品杆头、DEWAR內罐上部、DEWAR內罐下部、加热模块、固定板、真空电学接头、导线孔、样品杆内杆、PCB转接板，原位测试芯片。本发明在大温区设计的基础上，可以直接在样品处添加电学信号进行样品材料热电性能研究。采用液氮实现低温及高温冷却功能，快速制冷降温；样品杆头采用可拆卸方式，可以更换扩展功能，实现单一低温、高温或同时实现全温区；加热模块采用芯片微区加热方式，降低热接触，减小热漂移。使用加大工作微区设计，测温元件采用电阻信号变化检测，可以实现实时准确的温度检测。
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公开(公告)号：CN105789004A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610247974.9
申请日：2016-04-20
Applicant: 兰州大学
CPC classification number: H01J37/20 , H01J37/28 , H01J2237/20 , H01J2237/28
Abstract: 本发明公开了一种全温区热电两场扫描电镜原位物性测量台，包括：样品、样品压片、导热台、测温元件、加热元件、样品台盖子、冷却台顶、冷却管、冷却台底、绝热台顶、绝热柱、绝热台底、扫描电子显微镜连接柱、功能扩展孔、冷却管孔、导线孔、真空法兰模块、冷却控制模块、PID温控及电学测试模块。本发明可以进行样品材料热电性能研究，实现力学、电学和热学多物理场调控下的原位性能研究；实现快速制冷降温；充分利用样品台结构降低导热效果；防止了放电现象和加热过程中图像热干扰而出现层状条纹，使用同轴环状加热模块且采用导热性能良好的紫铜作样品导热台，测温元件处于加热模块和样品之间，实现准确的温度检测。
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公开(公告)号：CN116199191B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202310221603.3
申请日：2023-03-09
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种利用电子束诱导在非晶中生长纳米级二维材料的方法。本发明利用聚焦电子束对铁电样品的结晶区域与非晶区域的交界处和非晶区域的原子团进行辐照，电子束辐照铁电样品会引入能量，因为铁电样品的结晶与非晶边缘和不稳定的原子团处能量较高，电子束辐照引入的能量会在铁电样品的结晶与非晶边缘或者不稳定的原子团中产生空穴和点缺陷，进而生长出同样元素但能量更低的新的纳米级二维材料。
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