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公开(公告)号:CN103180241A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201180038128.1
申请日:2011-08-02
CPC classification number: F21V5/00 , B82Y20/00 , C30B25/02 , C30B29/04 , G02B1/02 , H01L33/58 , Y10T428/24355 , Y10T428/24612 , Y10T428/24628 , Y10T428/26
Abstract: 一种制造光学元件的方法,该方法包括:通过使用具有第一氮浓度的气相的化学气相沉积技术生长第一单晶金刚石材料层;通过使用具有第二氮浓度的气相的化学气相沉积技术在所述第一层上生长第二单晶金刚石材料层,其中该第二氮浓度低于第一氮浓度;由该第二单晶金刚石材料层的至少一部分形成光学元件;和在该光学元件的表面处形成出光耦合结构以提高光的出光耦合。