磁致伸缩的层系统
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103620435B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201280031232.2

    申请日:2012-06-20

    CPC classification number: G01R33/02 G01R33/18 H01L41/47 Y10T29/42 Y10T428/1121

    Abstract: 提出一种磁致伸缩的层系统,所述层系统包括由反铁磁(AFM)层和直接设置在所述反铁磁(AFM)层上的磁致伸缩的铁磁(FM)层构成的至少一个层序列,其中层序列具有相关联的交换偏置(EB)场,其中FM层的EB感应的磁化强度在不存在外部磁场的情况下位于85%和100%之间的范围中并且其中在平行于(AFM)层和(FM)层的平面之内,由EB场方向和在不存在外部磁场的情况下具有最大压磁系数的磁致伸缩方向所围成的角αopt位于10°和80°之间的范围中。

    磁致伸缩的层系统
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103620435A

    公开(公告)日:2014-03-05

    申请号:CN201280031232.2

    申请日:2012-06-20

    CPC classification number: G01R33/02 G01R33/18 H01L41/47 Y10T29/42 Y10T428/1121

    Abstract: 本发明提出一种磁致伸缩的层系统,所述层系统包括由反铁磁(AFM)层和直接设置在所述反铁磁(AFM)层上的磁致伸缩的铁磁(FM)层构成的至少一个层序列,其中层序列具有相关联的交换偏置(EB)场,其中FM层的EB感应的磁化强度在不存在外部磁场的情况下位于85%和100%之间的范围中并且其中在平行于(AFM)层和(FM)层的平面之内,由EB场方向和在不存在外部磁场的情况下具有最大压磁系数的磁致伸缩方向所围成的角αopt位于10°和80°之间的范围中。

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