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公开(公告)号：CN113161494B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202110440689.X
申请日：2021-04-23
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光电人工突触的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上制作具有沟道功能区的图形电极；在所述衬底表面制作覆盖所述图形电极的有机半导体光响应功能层；在所述光响应功能层表面制备铁电极化调控层；退火后获得人工突触。本发明人工突触的实现基于铁电极化的多级调控与有机光电半导体的光电响应。利用滴涂法获得高质量面内极化铁电薄膜构建平面多层结构。与依赖导电细丝与离子掺杂的其他忆阻器人工突触相比具有操作电压低、保持特性好、制备工艺简便可控等优势。本发明可模拟重要的突触功能，对光刺激响应快，能耗低，可用于神经形态计算、图像识别、机器视觉、卷积神经网络等领域。
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公开(公告)号：CN113659076A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110851591.3
申请日：2021-07-27
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种有机铁电畴壁存储器的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上制作对置的金属梳状电极；对所述衬底表面进行亲疏水性处理；在所述衬底表面采用选区生长法形成分子铁电功能层；退火后获得畴壁存储器。上述技术方案实现了基于梳状对电极的多级长度沟道以及有机铁电层部分极化形成畴壁导电通道。利用低张力滴涂选区法，降低成本与复杂度的同时引导极化轴可控生长。与传统利用极化翻转与位移电流写入与读取的铁电存储器相比，具有非破坏性读取、电流信号大、寿命长等优势。本发明可用于新型存储阵列、柔性集成铁电芯片等领域。
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公开(公告)号：CN113161494A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110440689.X
申请日：2021-04-23
Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光电人工突触的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上制作具有沟道功能区的图形电极；在所述衬底表面制作覆盖所述图形电极的有机半导体光响应功能层；在所述光响应功能层表面制备铁电极化调控层；退火后获得人工突触。本发明人工突触的实现基于铁电极化的多级调控与有机光电半导体的光电响应。利用滴涂法获得高质量面内极化铁电薄膜构建平面多层结构。与依赖导电细丝与离子掺杂的其他忆阻器人工突触相比具有操作电压低、保持特性好、制备工艺简便可控等优势。本发明可模拟重要的突触功能，对光刺激响应快，能耗低，可用于神经形态计算、图像识别、机器视觉、卷积神经网络等领域。
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