公开(公告)号：CN113556030A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110815822.5

申请日：2021-07-19

Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

Inventor： 杨书豪 ,  王志坤

IPC: H02M1/34 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种集成缓冲电路的碳化硅功率半导体模块装置。本发明通过在单相半桥、单相全桥或者三相桥式碳化硅功率半导体模块内集成有源缓冲电路可以降低碳化硅功率半导体模块的开关损耗，降低振荡以及阻尼损耗，同时降低电压尖峰,碳化硅功率半导体模块可工作在更高的电压，或者选取用低电压等级的芯片降低导通损耗，提高碳化硅电力电子系统的效率。

公开(公告)号：CN113489303A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110821869.2

申请日：2021-07-19

Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

Inventor： 王志坤 ,  杨书豪

IPC: H02M1/38 ,  H02M1/08

Abstract: 本发明提供了一种集成米勒钳位电路的碳化硅功率半导体器件装置。本发明将米勒钳位电路的高频MOSFET功率半导体器件集成在碳化硅功率半导体器件封装内部，大幅减小米勒钳位电路与碳化硅MOSFET功率半导体器件的封装杂散电感，实现碳化硅MOSFET功率半导体器件的桥臂串扰的有效抑制。

公开(公告)号：CN113489288A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110814584.6

申请日：2021-07-19

Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

Inventor： 杨书豪 ,  王志坤

IPC: H02M1/08

Abstract: 本发明提供了一种低电磁干扰碳化硅功率半导体器件驱动电路方法。本发明通过在碳化硅MOSFET功率半导体器件关断电压从零上升的过程中使用阻值较小的驱动电阻，在碳化硅MOSFET功率半导体器件的电流下降到90％左右的时间进行驱动电阻切换，利用较大的驱动电阻对碳化硅MOSFET功率半导体器件进行关断和阻尼控制。