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发明公开
有机铁电晶体材料的制备方法以及有机铁电晶体材料无效

公开(公告)号：CN113151902A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110441375.1

申请日：2021-04-23

Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

Inventor： 胡来归 , 徐明升 , 詹义强 , 秦亚杰

IPC: C30B29/54 , C30B7/00 , C30B30/00 , H01L27/11507

Abstract: 本发明提供了一种有机铁电晶体材料的制备方法，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底表面形成条状沟槽；将有机铁电晶体材料的溶液滴入沟槽中；采用刮刀顺沟槽方向刮涂所述溶液，利用刮刀对溶液的剪切力，使溶液定向生长，得到相同取向的有机铁电晶体单晶阵列。上述技术方案提供了一种刮涂法制备的有机分子单晶薄膜和光电流非破坏性读取的有机铁电阵列存储器件，将传统的光刻图案化技术与刮涂工艺相结合，成功制备了单一取向、高质量、结晶均一的有机分子单晶以及微纳存储阵列器件，推进光电流非破坏性读取的有机铁电阵列存储器件的应用。

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