公开(公告)号：CN112909098B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202110210079.0

申请日：2021-02-24

Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

Inventor： 张园览 ,  张清纯

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/329

Abstract: 一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的漂移层，所述漂移层包括第一漂移区和位于所述第一漂移区背向所述半导体衬底层一侧的第二漂移区，所述第二漂移区的掺杂浓度大于所述第一漂移区的掺杂浓度；位于部分第二漂移区中的副掺杂层，所述副掺杂层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反；位于所述漂移层中且围绕所述副掺杂层间隔分布的若干主掺杂层，所述主掺杂层的导电类型与所述副掺杂层的导电类型相同。所述肖特基二极管保证在较小的反向偏压时对导通沟道完全夹断，同时能保证正向导通时具有低的导通电阻。

公开(公告)号：CN113078062A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110325602.4

申请日：2021-03-26

Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

Inventor： 张园览 ,  张清纯

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/266 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种肖特基二极管的制造方法。包括以下步骤：提供衬底层；在衬底层上形成漂移层；在漂移层的表面形成图形化的掩膜层；以图形化的掩膜层为掩膜对漂移层进行刻蚀，在漂移层中形成凹槽；形成凹槽之后，横向刻蚀掩膜层以暴露凹槽周围的漂移层的顶部表面；横向刻蚀掩膜层之后，以掩膜层为掩膜在凹槽侧壁和底部的漂移层形成掺杂层，掺杂层的导电类型与漂移层的导电类型相反；形成掺杂层之后，去除图形化的掩膜层。该方法减少了掩膜板的使用，实现了自对准，不易引入其他影响因素，降低了制造工艺难度。

公开(公告)号：CN112909098A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110210079.0

申请日：2021-02-24

Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

Inventor： 张园览 ,  张清纯

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/329

Abstract: 一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的漂移层，所述漂移层包括第一漂移区和位于所述第一漂移区背向所述半导体衬底层一侧的第二漂移区，所述第二漂移区的掺杂浓度大于所述第一漂移区的掺杂浓度；位于部分第二漂移区中的副掺杂层，所述副掺杂层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反；位于所述漂移层中且围绕所述副掺杂层间隔分布的若干主掺杂层，所述主掺杂层的导电类型与所述副掺杂层的导电类型相同。所述肖特基二极管保证在较小的反向偏压时对导通沟道完全夹断，同时能保证正向导通时具有低的导通电阻。

公开(公告)号：CN113078062B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202110325602.4

申请日：2021-03-26

Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

Inventor： 张园览 ,  张清纯

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/266 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种肖特基二极管的制造方法。包括以下步骤：提供衬底层；在衬底层上形成漂移层；在漂移层的表面形成图形化的掩膜层；以图形化的掩膜层为掩膜对漂移层进行刻蚀，在漂移层中形成凹槽；形成凹槽之后，横向刻蚀掩膜层以暴露凹槽周围的漂移层的顶部表面；横向刻蚀掩膜层之后，以掩膜层为掩膜在凹槽侧壁和底部的漂移层形成掺杂层，掺杂层的导电类型与漂移层的导电类型相反；形成掺杂层之后，去除图形化的掩膜层。该方法减少了掩膜板的使用，实现了自对准，不易引入其他影响因素，降低了制造工艺难度。

公开(公告)号：CN112670167A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011600486.4

申请日：2020-12-29

Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

Inventor： 马宏平 ,  张园览

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明涉及一种制备氧化硅和氮化硅超晶格结构的方法。所述制备氧化硅和氮化硅超晶格结构的方法包括如下步骤：提供一衬底；交替进行第一沉积工艺和第二沉积工艺，于所述衬底表面形成氧化硅和氮化硅超晶格结构；所述第一沉积工艺包括重复执行若干次第一循环步骤；所述第一循环步骤包括：采用原子层沉积工艺形成一层氧化硅层于所述衬底表面；所述第二沉积工艺包括重复执行若干次第二循环步骤；所述第二循环步骤包括：采用原子层沉积工艺形成一层氮化硅层于所述氧化硅层表面。本发明达到了精确调控氧化硅层厚度和氮化硅层厚度的效果，实现了对超超晶格薄膜厚度原子层级可控，从而能够形成具有较高质量的氧化硅和氮化硅超晶格结构。

公开(公告)号：CN215988778U

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202120417435.1

申请日：2021-02-24

Applicant: 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

Inventor： 张园览 ,  张清纯

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/329

Abstract: 一种肖特基二极管，包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的漂移层，所述漂移层包括第一漂移区和位于所述第一漂移区背向所述半导体衬底层一侧的第二漂移区，所述第二漂移区的掺杂浓度大于所述第一漂移区的掺杂浓度；位于部分第二漂移区中的副掺杂层，所述副掺杂层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反；位于所述漂移层中且围绕所述副掺杂层间隔分布的若干主掺杂层，所述主掺杂层的导电类型与所述副掺杂层的导电类型相同。所述肖特基二极管保证在较小的反向偏压时对导通沟道完全夹断，同时能保证正向导通时具有低的导通电阻。