公开(公告)号：CN1252615A

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN98120469.4

申请日：1998-10-22

Applicant: 先锋电子株式会社

Inventor： 根岸伸安 ,  小笠原清秀 ,  吉川高正 ,  中马隆 ,  岩崎新吾 ,  伊藤宽 ,  吉泽淳志 ,  山田高士 ,  柳沢秀一 ,  酒村一到

IPC: H01J1/30 ,  H01J31/12 ,  G09F9/33

Abstract: 一种具有高电子发射效率的电子发射装置。该装置包括:用金属或半导体制成的供电子层;在该供电子层上形成的绝缘层;以及在该绝缘层上形成的薄膜金属电极。所述绝缘层的膜厚为50nm或更大,而且所述供电子层是由经氢化的非晶形硅制成的,在供电子层和薄膜金属之间施加电场时,该电子发射装置发射电子。

公开(公告)号：CN1137501C

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN98120466.X

申请日：1998-10-22

Applicant: 先锋电子株式会社

Inventor： 岩崎新吾 ,  小笠原清秀 ,  吉川高正 ,  中马隆 ,  根岸伸安 ,  伊藤宽 ,  吉泽淳志 ,  山田高士 ,  柳沢秀一 ,  酒村一到

IPC: H01J1/30 ,  H01J31/10 ,  H01J29/46

Abstract: 一种电子发射器件具有高电子发射效率。该器件包括金属或半导体的电子提供层、形成于电子提供层上的绝缘层、及形成于此绝缘层上的薄膜金属电极。绝缘层的膜厚大于或等于50nm，并具有场稳定层。在电场加于电子提供层和薄膜金属电极之间时，此电子发射器件发射电子。

公开(公告)号：CN1252613A

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN98120467.8

申请日：1998-10-22

Applicant: 先锋电子株式会社

Inventor： 山田高士 ,  小笠原清秀 ,  吉川高正 ,  中马隆 ,  根岸伸安 ,  岩崎新吾 ,  伊藤宽 ,  吉泽淳志 ,  柳沢秀一 ,  酒村一到

IPC: H01J1/30

Abstract: 一种电子发射器件具有高电子发射效率。该器件包括金属或半导体的电子提供层、形成于电子提供层上的绝缘层、及形成于此绝缘层上的薄膜金属电极。绝缘层的膜厚为50nm或50nm以上。电子提供层由硅晶片制成。在电场加于电子提供层和薄膜金属电极间时,此电子发射器件发射电子。

公开(公告)号：CN1252612A

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN98120466.X

申请日：1998-10-22

Applicant: 先锋电子株式会社

Inventor： 岩崎新吾 ,  小笠原清秀 ,  吉川高正 ,  中马隆 ,  根岸伸安 ,  伊藤宽 ,  吉泽淳志 ,  山田高士 ,  柳沢秀一 ,  酒村一到

IPC: H01J1/30 ,  H01J31/10 ,  H01J29/46

Abstract: 一种电子发射器件具有高电子发射效率。该器件包括金属或半导体的电子提供层、形成于电子提供层上的绝缘层、及形成于此绝缘层上的薄膜金属电极。绝缘层的膜厚大于或等于50nm,并具有场稳定层。在电场加于电子提供层和薄膜金属电极之间时,此电子发射器件发射电子。

公开(公告)号：CN1143343C

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN98120467.8

申请日：1998-10-22

Applicant: 先锋电子株式会社

Inventor： 山田高士 ,  小笠原清秀 ,  吉川高正 ,  中马隆 ,  根岸伸安 ,  岩崎新吾 ,  伊藤宽 ,  吉泽淳志 ,  柳沢秀一 ,  酒村一到

IPC: H01J1/30

Abstract: 一种电子发射器件具有高电子发射效率。该器件包括金属或半导体的电子提供层、形成于电子提供层上的绝缘层、及形成于此绝缘层上的薄膜金属电极。绝缘层的膜厚为50nm或50nm以上。电子提供层由硅晶片制成。在电场加于电子提供层和薄膜金属电极间时，此电子发射器件发射电子。

公开(公告)号：CN1123906C

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN98120469.4

申请日：1998-10-22

Applicant: 先锋电子株式会社

Inventor： 根岸伸安 ,  小笠原清秀 ,  吉川高正 ,  中马隆 ,  岩崎新吾 ,  伊藤宽 ,  吉泽淳志 ,  山田高士 ,  柳沢秀一 ,  酒村一到

IPC: H01J1/312 ,  H01J31/12 ,  G09F9/33

Abstract: 一种具有高电子发射效率的电子发射装置。该装置包括：用金属或半导体制成的供电子层；在该供电子层上形成的绝缘层；以及在该绝缘层上形成的薄膜金属电极。所述绝缘层的膜厚为50-1000nm，而且所述供电子层是由经氢化的非晶形硅制成的，在供电子层和薄膜金属之间施加电场时，该电子发射装置发射电子，并且所述供电子层形成于基底的电极表面上。

公开(公告)号：CN1123905C

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN98120468.6

申请日：1998-10-22

Applicant: 先锋电子株式会社

Inventor： 吉泽淳志 ,  小笠原清秀 ,  吉川高正 ,  中马隆 ,  根岸伸安 ,  岩崎新吾 ,  伊藤宽 ,  山田高士 ,  柳沢秀一 ,  酒村一到

IPC: H01J1/312 ,  H01J31/12 ,  G09F9/33

Abstract: 一种具有高电子发射效率的电子发射装置。该装置包括：用金属或半导体制成的供电子层；在该供电子层上形成的绝缘层；以及在该绝缘层上形成的薄膜金属电极。所述绝缘层的膜厚为50-1000nm，而且所述供电子层的膜厚为2.5-10.0μm，在供电子层和薄膜金属之间施加电场时，该电子发射装置发射电子。

公开(公告)号：CN1252614A

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN98120468.6

申请日：1998-10-22

Applicant: 先锋电子株式会社

Inventor： 吉泽淳志 ,  小笠原清秀 ,  吉川高正 ,  中马隆 ,  根岸伸安 ,  岩崎新吾 ,  伊藤宽 ,  山田高士 ,  柳沢秀一 ,  酒村一到

IPC: H01J1/30 ,  H01J31/12 ,  G09F9/33

Abstract: 一种具有高电子发射效率的电子发射装置。该装置包括:用金属或半导体制成的供电子层;在该供电子层上形成的绝缘层;以及在该绝缘层上形成的薄膜金属电极。所述绝缘层的膜厚为50nm或更大,而且所述供电子层的膜厚为2.5μm或更大,在供电子层和薄膜金属之间施加电场时,该电子发射装置发射电子。