公开(公告)号：CN115305572B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202210790011.9

申请日：2022-07-06

Applicant: 信阳师范学院 ,  中原工学院

Inventor： 陈瑞 ,  张坤 ,  胡会吉 ,  邱洋 ,  雷前坤 ,  李苍龙 ,  涂友超

IPC: C30B29/22 ,  C30B7/10 ,  C30B7/14

Abstract: 本发明提供了一种单晶材料GaCuPO5的制备方法，该制备方法包括将CuCl2·2H2O、Ga(NO3)3·xH2O、K2HPO4按预设比例加入去离子水中，混合搅拌均匀，制备出前驱体溶液；将前驱体溶液转移至高压釜中，再放入加热箱加热至预设温度并保持预设时间段，随后将温度降至室温；对所述高压釜内的反应产物进行洗涤，得到单晶材料GaCuPO5。

公开(公告)号：CN117431614B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202311401380.5

申请日：2023-10-26

Applicant: 信阳师范学院

Inventor： 陈瑞 ,  胡会吉 ,  王幸媛 ,  邱洋 ,  汤清彬

IPC: C30B9/12 ,  C30B29/34 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明属于单晶生长技术领域，具体涉及一种大尺寸硅酸镍单晶及其制备方法。所述制备方法为：将NiO与K2MoO4混合均匀，然后加入石英粉，接着将上述混合物置于石英管中真空密封后，采用助熔剂法制备得到单晶。本发明所得Ni2SiO4单晶为长条状板型，橄榄绿色，色泽优异，尺寸大，纯度高，制备温度低，使用石英管即可完成，工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN118497895A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410747707.2

申请日：2024-06-11

Applicant: 信阳师范学院

Inventor： 陈瑞 ,  张敏 ,  汤信巧 ,  胡会吉 ,  曲哲

IPC: C30B29/22 ,  C30B1/00

Abstract: 本发明公开了一种单晶材料CaCo2TeO6及其制备方法。所述单晶材料CaCo2TeO6中Ca、Co、Te、O原子摩尔比为1：2：1：6，晶胞参数为#imgabs0#正交晶系，空间群为Pnma。制备方法包括如下步骤：将CaO、CoCl2、CoO、TeO2均匀混合置于容器中，将容器密封后置于加热设备中加热至第一预设温度并保持预设时间段，接着将温度以一定降温速率降到第二预设温度，随后自然降温到室温。本发明首次合成单晶材料CaCo2TeO6，整体呈现蜂窝状结构，具有二维磁特性和磁各向异性，是一个新的低维量子磁体。

公开(公告)号：CN117431614A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311401380.5

申请日：2023-10-26

Applicant: 信阳师范学院

Inventor： 陈瑞 ,  胡会吉 ,  王幸媛 ,  邱洋 ,  汤清彬

IPC: C30B9/12 ,  C30B29/34 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明属于单晶生长技术领域，具体涉及一种大尺寸硅酸镍单晶及其制备方法。所述制备方法为：将NiO与K2MoO4混合均匀，然后加入石英粉，接着将上述混合物置于石英管中真空密封后，采用助熔剂法制备得到单晶。本发明所得Ni2SiO4单晶为长条状板型，橄榄绿色，色泽优异，尺寸大，纯度高，制备温度低，使用石英管即可完成，工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN115305572A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210790011.9

申请日：2022-07-06

Applicant: 信阳师范学院 ,  中原工学院

Inventor： 陈瑞 ,  张坤 ,  胡会吉 ,  邱洋 ,  雷前坤 ,  李苍龙 ,  涂友超

IPC: C30B29/22 ,  C30B7/10 ,  C30B7/14

Abstract: 本发明提供了一种单晶材料GaCuPO5的制备方法，该制备方法包括将CuCl2·2H2O、Ga(NO3)3·xH2O、K2HPO4按预设比例加入去离子水中，混合搅拌均匀，制备出前驱体溶液；将前驱体溶液转移至高压釜中，再放入加热箱加热至预设温度并保持预设时间段，随后将温度降至室温；对所述高压釜内的反应产物进行洗涤，得到单晶材料GaCuPO5。