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公开(公告)号：CN110739401A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910994547.0
申请日：2019-10-18
Applicant: 信阳师范学院
IPC: H01L51/48
Abstract: 本发明涉及薄膜太阳能电池制备技术领域，特别是涉及一种提高钙钛矿薄膜太阳能电池光电转换效率的方法，具体包括以下步骤：在洁净的FTO玻璃上旋涂TiO2致密层溶液，在TiO2致密层上旋涂TiO2多孔层溶液，在TiO2多孔层上旋涂钙钛矿溶液，对钙钛矿薄膜进行激光处理，在钙钛矿吸收层上制备Spiro-OMeTAD，最后在制备好的Spiro-OMeTAD上蒸镀金电极。本发明通过采用激光对钙钛矿薄膜进行表面处理，使钙钛矿电池的光电转换率提高，并使钙钛矿电池的稳定性提高。
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公开(公告)号：CN109745992A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811476306.9
申请日：2018-12-04
Applicant: 信阳师范学院
IPC: B01J23/843 , C02F1/30 , C02F103/30
Abstract: 本发明提供一种高光催化活性单相铁电纳米材料及其制备方法,其主要由萤石结构层[Bi2O2]2+和类钙钛矿层[(Bi0.9Sm0.1)(Fe0.5Nb1.5)O7]2-沿C方向交替堆积而成。由于所述单相纳米材料具有上述结构特征，使其内部存在由铁电自发极化诱导产生的内建电场，同时铁氧八面体中Fe元素3d轨道的劈裂使其在可见光区具有较大的光吸收。这两大特征使得该单相纳米材料在可见光区对有色有机污染物罗丹明B以及无色有机污染物水杨酸都表现出高效的光降解活性。本申请还提供了所述纳米材料的合成方法。
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公开(公告)号：CN114649481A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210147442.3
申请日：2022-02-17
Applicant: 信阳师范学院
Abstract: 本发明属于光电子材料与器件领域，具体涉及一种钙钛矿电池中铜锌锗硫空穴传输层的制备方法及包含该空穴传输层的钙钛矿电池。首先使用一锅法合成得到铜锌锗硫纳米晶；然后使用正己烷和乙醇对铜锌锗硫纳米晶进行清洗；接着使用己硫醇对铜锌锗硫纳米晶进行表面处理；最后将处理后的铜锌锗硫纳米晶分散到己硫醇中，通过旋涂的方法沉积到钙钛矿薄膜表面，在100℃下加热干燥，得到铜锌锗硫空穴传输层。基于该铜锌锗硫空穴传输层的碳对电极钙钛矿电池，由下至上依次为透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、铜锌锗硫空穴传输层和碳对电极，其光电转换效率可以达到18.02%，同时该结构的电池表现出优异的稳定性。
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公开(公告)号：CN114107960A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111233565.0
申请日：2021-10-22
Applicant: 信阳师范学院
Abstract: 本发明属于光电子材料与器件技术领域，涉及一种以草酸亚锡为原料制备SnO2电子传输层薄膜的方法，包括以下步骤：将透明导电衬底分别放入去离子水、酒精中超声清洗，然后放入烘箱中干燥；将草酸亚锡溶解于过氧化氢溶液中，将溶液超声、过滤，得到浓度为0.25~1mol/L的SnO2前驱体溶液；将SnO2前驱体溶液涂布到透明导电衬底上，在100~250℃下加热30min，得到高透光性的SnO2电子传输层薄膜。采用本发明制备的SnO2薄膜得到的钙钛矿电池的光电转换效率可达到20%以上，优于相同条件下使用商业化SnO2纳米颗粒制备的钙钛矿电池。
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公开(公告)号：CN111739738B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010564431.6
申请日：2020-06-19
Applicant: 信阳师范学院
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明属于电容器技术领域，具体涉及一种一体化两电极光充电电容器，该化学电源包括光电转换电极、活性炭对电极、活性炭储能电极以及电解质溶液；光电转换电极为吸附光敏剂的纳米颗粒、以透明导电玻璃作为集流体；对电极和储能电极储能物质为活性炭、均以透明导电玻璃作为集流体；电解质溶液为含有LiI和LiClO4的碳酸二丙酯/乙腈混合溶液。本发明所构造的化学电源，借助于光电转换电极实现太阳能的转换，同时借助于对电极和储能电极构成的电容器，快速完成能量的储存与再利用；且电源结构简单，制备成本低廉，易产业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110265287B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910454411.0
申请日：2019-05-29
Applicant: 信阳师范学院
IPC: H01L21/02 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开一种基于硅片衬底制备铋铁钛基层状氧化物取向薄膜的方法，主要步骤有：1)清洗硅片衬底；2)在硅片衬底上制备超薄的二氧化钛薄膜，增加衬底浸润性；3)制备前驱体溶液，再将溶液旋涂在衬底上，退火处理成膜。通过结构和性能表征发现，利用本方法可以获得高度择优取向、高致密、大晶粒的单相铋铁钛基层状氧化物薄膜，且结构及光电性能都远优于其它衬底制备的薄膜，具有潜在的铁电光伏器件应用前景。
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公开(公告)号：CN109358041A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811094887.X
申请日：2018-09-19
Applicant: 信阳师范学院
IPC: G01N21/78 , H01L31/0296
Abstract: 本发明涉及一种硫化镉薄膜比色装置，包括多个不同厚度的硫化镉薄膜样品和采样板，采样板上平面开设有多个带底的腔体，腔体内部设置有样品室、推杆和弹簧；一种制备硫化镉薄膜的方法，包括以下步骤：清洗衬底，CdSO4与超纯水混合制成反应溶液；缓慢滴加氨水至反应容器内，衬底置于反应容器内；反应溶液内添加硫脲；加热反应溶液，反应溶液进行成膜反应，直至硫化镉薄膜的厚度达到预定值；取出衬底置于去离子水中冲洗，然后烘干或吹干，得到硫化镉薄膜样品。一种硫化镉薄膜比色装置，本发明通过硫化镉薄膜比色装置和制备硫化镉薄膜的方法；便于快速方便的判断实验中硫化镉薄膜的厚度和防止硫化镉薄膜污染。
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公开(公告)号：CN108682511A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810286540.9
申请日：2018-04-03
Applicant: 信阳师范学院
IPC: H01B13/00
CPC classification number: H01B13/00 , H01B13/0016
Abstract: 本发明公开了一种提高碳纳米管膜导电性的方法，通过气相方式对SWCNTs薄膜进行处理，先将SWCNTs薄膜置于密封石英管中，并抽真空至10pa以下；然后向石英管中持续通入干燥的反应气体，该反应气体为二氧化氮或氨气，同时温度控制在290℃～310℃，并保温2～3h；再然后对石英管再次抽真空，并通入惰性气体多次冲洗石英管，同时通入少量的水蒸气；最后将石英管自然降温，降温后取出SWCNTs薄膜。本发明所述方法以气相方式对SWCNTs作处理，不引入其他杂质，不改变SWCNTs薄膜的组成，可以显著的提高SWCNTs的透明度和导电性。
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公开(公告)号：CN110265287A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910454411.0
申请日：2019-05-29
Applicant: 信阳师范学院
IPC: H01L21/02 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开一种基于硅片衬底制备铋铁钛基层状氧化物取向薄膜的方法，主要步骤有：1)清洗硅片衬底；2)在硅片衬底上制备超薄的二氧化钛薄膜，增加衬底浸润性；3)制备前驱体溶液，再将溶液旋涂在衬底上，退火处理成膜。通过结构和性能表征发现，利用本方法可以获得高度择优取向、高致密、大晶粒的单相铋铁钛基层状氧化物薄膜，且结构及光电性能都远优于其它衬底制备的薄膜，具有潜在的铁电光伏器件应用前景。
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公开(公告)号：CN109831158A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910063076.1
申请日：2019-03-08
Applicant: 信阳师范学院
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明提出了一种实验室用钙钛矿太阳能电池最大功率点跟踪测试系统，包括MCU、I/V转换电路和上位机；MCU与I/V转换电路之间通过D/A转换电路和A/D转换电路连接；MCU与上位机通讯；所述I/V转换电路，用于将D/A转换电路输出的电压施加到钙钛矿太阳能电池两端，将钙钛矿太阳能电池的输出电流转换为相应的电压信号；所述A/D转换电路，用于采集I/V转换电路输出的电压信号；上位机对D/A转换电路和A/D转换电路的电压信号进行处理后得到待测试钙钛矿太阳能电池两端的电压和电流信息。本发明实现了实验室范围内毫瓦级别的钙钛矿太阳能电池的最大功率点的有效跟踪测试。
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