公开(公告)号：CN115070047B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202210654992.4

申请日：2022-06-10

Applicant: 信阳师范学院

Inventor： 王春雷 ,  汤清彬 ,  余本海 ,  涂友超 ,  陈旺阳 ,  王路斌 ,  李宜钢

IPC: B22F9/04 ,  B22F3/10

Abstract: 本发明提供了一种在BaFe2As2单晶基底上制备Ba1‑xCsxFe2As2超导薄膜的方法，以金属钡(Ba)、铯(Cs)、铁(Fe)以及砷(As)或者它们之间的化合物作为原料，研磨后封管在密闭的条件下烧结，即可在BaFe2As2单晶基底上生长出Ba1‑xCsxFe2As2超导薄膜。本发明制备工艺简单、操作方便，可制备出含活泼金属元素Cs的Ba1‑xCsxFe2As2超导薄膜。所得超导薄膜具有高的临界转变温度，高的上临界场，为高性能铁基“122”系高温超导薄膜材料的制备提供了新思路，在超导强电磁及微电子应用方面具有较好的前景。

公开(公告)号：CN115070047A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210654992.4

申请日：2022-06-10

Applicant: 信阳师范学院

Inventor： 王春雷 ,  汤清彬 ,  余本海 ,  涂友超 ,  陈旺阳 ,  王路斌 ,  李宜钢

IPC: B22F9/04 ,  B22F3/10

Abstract: 本发明提供了一种在BaFe2As2单晶基底上制备Ba1‑xCsxFe2As2超导薄膜的方法，以金属钡(Ba)、铯(Cs)、铁(Fe)以及砷(As)或者它们之间的化合物作为原料，研磨后封管在密闭的条件下烧结，即可在BaFe2As2单晶基底上生长出Ba1‑xCsxFe2As2超导薄膜。本发明制备工艺简单、操作方便，可制备出含活泼金属元素Cs的Ba1‑xCsxFe2As2超导薄膜。所得超导薄膜具有高的临界转变温度，高的上临界场，为高性能铁基“122”系高温超导薄膜材料的制备提供了新思路，在超导强电磁及微电子应用方面具有较好的前景。