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公开(公告)号：CN111868310B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201980018916.0
申请日：2019-02-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种SiC单晶的制造方法，其为利用上部设有温度测量用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器的上部的中心配置晶种基板，于生长容器的下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法，所述制造方法中，以使孔的中心位置与晶种基板的中心位置错开的方式，将孔相对于晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置，作为晶种基板，使用具有自作为基面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的SiC单晶基板，在包含晶种基板的中心与孔的中心的剖视中，以使晶种基板的基面的法线矢量的与主面平行的分量的方向同孔的偏心方向为同一方向的方式，配置晶种基板而使SiC单晶生长。由此，提供一种减少了晶圆中央部的结晶性的劣化的碳化硅单晶的制造方法。
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公开(公告)号：CN111542651B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201880083603.9
申请日：2018-11-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其为利用上部设有温度测定用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器内的上部的中心配置晶种基板，于生长容器下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法，所述制造方法中，以使孔的中心位置与晶种基板的中心位置错开的方式，将孔相对于晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置，作为晶种基板，使用具有自作为基底面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的SiC单晶基板，在包含晶种基板的中心及孔的中心的剖视中，以使晶种基板的基底面的法线矢量的与主面平行的分量的方向与孔的偏心方向为反方向的方式，配置晶种基板而使SiC单晶生长。由此，提供一种减少了贯穿缺陷的碳化硅单晶的制造方法。
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公开(公告)号：CN111868310A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980018916.0
申请日：2019-02-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种SiC单晶的制造方法，其为利用上部设有温度测量用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器的上部的中心配置晶种基板，于生长容器的下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法，所述制造方法中，以使孔的中心位置与晶种基板的中心位置错开的方式，将孔相对于晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置，作为晶种基板，使用具有自作为基面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的SiC单晶基板，在包含晶种基板的中心与孔的中心的剖视中，以使晶种基板的基面的法线矢量的与主面平行的分量的方向同孔的偏心方向为同一方向的方式，配置晶种基板而使SiC单晶生长。由此，提供一种减少了晶圆中央部的结晶性的劣化的碳化硅单晶的制造方法。
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公开(公告)号：CN111918988A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201980019491.5
申请日：2019-02-18
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其中，使碳化硅原材料在碳化硅单晶生长装置内升华而使碳化硅单晶在晶种基板上生长，所述碳化硅单晶生长装置至少具备生长容器与在该生长容器的周围具有温度测量用的孔的隔热容器，所述制造方法的特征在于，在所述碳化硅单晶进行生长时，通过所述温度测量用的孔而测量所述生长容器的温度，在所述碳化硅单晶的生长结束并将该碳化硅单晶冷却时，用遮蔽构件塞住所述温度测量用的孔。由此，提供一种减少碳化硅单晶锭及晶圆的破裂或裂缝的碳化硅单晶的制造方法及制造装置。
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公开(公告)号：CN111542651A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201880083603.9
申请日：2018-11-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其为利用上部设有温度测定用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器内的上部的中心配置晶种基板，于生长容器下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法，所述制造方法中，以使孔的中心位置与晶种基板的中心位置错开的方式，将孔相对于晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置，作为晶种基板，使用具有自作为基底面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的SiC单晶基板，在包含晶种基板的中心及孔的中心的剖视中，以使晶种基板的基底面的法线矢量的与主面平行的分量的方向与孔的偏心方向为反方向的方式，配置晶种基板而使SiC单晶生长。由此，提供一种减少了贯穿缺陷的碳化硅单晶的制造方法。
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